[发明专利]用于顶栅有机薄膜晶体管的经表面处理的基板无效
| 申请号： | 200980134307.8 | 申请日： | 2009-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN102144311A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | T·库勒;J·伯勒斯;J·卡特尔;J·哈尔斯;C·纽萨姆 | 申请（专利权）人： | 剑桥显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 杨勇 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 顶栅晶体管的形成方法，该方法包括如下步骤：提供带有源极和漏极的基板，该源极和漏极在其间限定沟道区；处理该沟道区的表面的至少一部分以降低其极性；并在该沟道中沉积半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 有机 薄膜晶体管 表面 处理 | ||
【主权项】：
顶栅晶体管的形成方法，该方法包括如下步骤：提供带有源极和漏极的基板，该源极和漏极在其间限定沟道区；处理该沟道区的表面的至少一部分以降低其极性；并在该沟道中沉积半导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-54 .. 材料选择
