[发明专利]用于顶栅有机薄膜晶体管的经表面处理的基板

权利要求书

1.顶栅晶体管的形成方法，该方法包括如下步骤：提供带有源极和漏极的基板，该源极和漏极在其间限定沟道区；处理该沟道区的表面的至少一部分以降低其极性；并在该沟道中沉积半导体层。

2.根据权利要求1的方法，其中该处理包括形成覆盖至少某些、优选全部的沟道区的层的步骤。

3.根据权利要求2的方法，其中该层基本上覆盖基板的整个表面。

4.根据权利要求2或权利要求3的方法，其中该层包括聚合物层。

5.根据权利要求1至3任一项的方法，其中该处理包括使反应性物质与沟道区的至少一部分接触以形成自组装层，例如自组装单层。

6.根据权利要求5的方法，其中该反应性物质与沟道区中的极性基团反应以形成具有至少一个非极性基团的残基，所述至少一个非极性基团例如为线性、支化或环状烷基或任选取代的芳基端基，即对于有机半导体材料具有亲和性的基团。

7.根据权利要求5或权利要求6的方法，其中该自组装层包含具有以下结构的残基：

其中Ar是芳基，L是连接基团或单键，并且其中X¹表示与基板表面的键，X²和X³独立地表示与基板表面的键或者选自以下的取代基：具有1至10个碳原子的任选取代的直链、支化或环状烷基或烯基，或者芳基。

8.根据权利要求7的方法，其中X²和X³均表示与沟道区表面的键。

9.根据权利要求7或权利要求8的方法，其中连接基团L包括1至10个碳原子的取代或未取代的直链、支化或环状烷基。

10.根据权利要求7至9任一项的方法，其中该残基包含一个或多个以下结构：

其中X¹表示与基板表面的键，X²和X³在存在时独立地表示与基板表面的键或者选自以下的取代基：具有1至10个碳原子的任选取代的直链、支化或环状烷基或烯基，或者芳基。

11.根据权利要求5至10任一项的方法，其中该反应性物质通过该反应性物质与附着到沟道区上的极性基团的反应键合到沟道区上，该反应从该反应性物质中释放离去基团。

12.根据权利要求5至10任一项的方法，其中该反应性物质包含在活化后形成自由基的反应性基团，其中该反应性物质通过该反应性基团与沟道区表面的反应键合到沟道区上。

13.根据以上权利要求任一项的方法，该方法包括在处理沟道区之前或之后采用用于降低电极的接触电阻的化合物处理源极和漏极之一或两者的步骤，以形成电极处理层，该层覆盖源极和漏极之一或两者的至少一些表面。

14.根据权利要求13的方法，其中该电极处理层包括聚合物层。

15.根据权利要求13的方法，其中该化合物包括能够与源极和漏极进行化学键合以形成自组装层例如自组装单层的化合物。

16.根据权利要求15的方法，其中该化合物包括硫酚或二硫化物，并且源极和漏极包含金、银、铜或其合金。

17.根据权利要求13至16任一项的方法，其中该电极处理层包含在一个或多个电极表面上具有负偶极矩的残基。

18.根据权利要求17的方法，其中该电极处理层包含卤化或全卤化残基，例如氟化残基。

19.根据权利要求17的方法，其中该电极处理层包含具有至少一个吸电子基团的残基，所述吸电子基团优选地选自硝基、氰基、烷氧基。

20.根据权利要求13至16任一项的方法，其中该电极处理层包含在一个或多个电极表面上具有正偶极矩的残基，例如烷烃残基。

21.根据权利要求15至19任一项的方法，其中该电极接触层包含具有以下结构的残基：

其中Y表示吸电子基团，优选地选自硝基、氰基、烷氧基(优选甲氧基)和卤素，优选氟，并且Z表示硫原子与电极表面之间的键。

22.能够通过根据以上权利要求任一项的方法获得的晶体管。