[发明专利]用于降低钨粗糙度并改进反射率的方法有效
| 申请号： | 200980133560.1 | 申请日： | 2009-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN102084462A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 陈枫;罗希那·胡马雍;阿比舍克·马诺哈尔 | 申请（专利权）人： | 诺发系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供产生具有较低粗糙度和较高反射率的低电阻率钨体层的方法。平滑且高反射性的钨层比常规低电阻率钨膜更易于光图案化。所述方法涉及在存在交替氮气脉冲的情况下的钨的CVD沉积，以便在不存在氮的情况下和在存在氮的情况下通过CVD沉积所述膜的交替部分。根据各种实施例，在存在氮的情况下通过CVD沉积20％至90％之间的总膜厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 降低 粗糙 改进 反射率 方法 | ||
【主权项】：
一种在半导体衬底上形成钨膜的方法，所述方法包含：在所述半导体衬底上沉积钨成核层；通过CVD工艺在所述钨成核层上沉积钨体层，其中在所述钨体层的沉积期间将所述半导体衬底暴露于多个氮脉冲，其中所述氮脉冲之间有延迟。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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