[发明专利]用于半导体工艺腔室的工艺气体输送有效

专利信息
申请号: 200980132544.0 申请日: 2009-08-20
公开(公告)号: CN102132381A 公开(公告)日: 2011-07-20
发明(设计)人: 凯达尔纳什·桑格姆;安哈·N·阮 申请(专利权)人: 应用材料股份有限公司
主分类号: H01L21/205 分类号: H01L21/205;H01L21/00;H01L21/02
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国;钟强
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 在此提供了用于气体输送组件的方法和装置。在一些实施方式中,气体输送组件包括具有第一容积的气体入口漏斗;以及气体导管,该气体导管具有接收气体的入口和促使气体流出该气体导管并进入第一容积的出口,其中该气体导管具有小于第一容积的第二容积,以及从最接近入口的第一截面向最接近出口的第二截面增大的截面,其中该第二截面是非圆形的。在一些实施方式中,各导管具有与气体入口漏斗的中心轴交叉的纵轴。
搜索关键词: 用于 半导体 工艺 气体 输送
【主权项】:
一种气体输送组件,包括:具有第一容积的气体入口漏斗;以及气体导管,该气体导管具有接收气体的入口和促使气体流出该气体导管并进入第一容积的出口,其中该气体导管具有小于第一容积的第二容积,以及从最接近入口的第一截面向最接近出口的第二截面增大的截面,其中该第二截面是非圆形的。
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