[发明专利]用于半导体工艺腔室的工艺气体输送

权利要求书

1.一种气体输送组件，包括：

具有第一容积的气体入口漏斗；以及

气体导管，该气体导管具有接收气体的入口和促使气体流出该气体导管并进入第一容积的出口，其中该气体导管具有小于第一容积的第二容积，以及从最接近入口的第一截面向最接近出口的第二截面增大的截面，其中该第二截面是非圆形的。

2.权利要求1的气体输送组件，其中所述气体导管具有与气体入口漏斗的中心轴交叉的纵轴。

3.权利要求2的气体输送组件，进一步包括：

两个气体导管，其中所述两个气体导管具有径向相对的纵轴。

4.权利要求1或2的气体输送组件，进一步包括：

两个气体导管，其中所述两个气体导管具有垂直的纵轴。

5.权利要求1-4中任一项的气体输送组件，其中各气体导管具有与气体入口漏斗的中心轴相垂直的纵轴。

6.权利要求1-4中任一项的气体输送组件，其中各气体导管具有与气体入口漏斗的中心轴成角度设置的纵轴。

7.权利要求1-6中任一项的气体输送组件，进一步包括：

与各气体导管相连的加热器，用于加热流经各气体导管的气体。

8.权利要求1-7中任一项的气体输送组件，其中所述气体入口漏斗具有在气体流方向上沿至少一部分中心轴增大的截面。

9.权利要求1-8中任一项的气体输送组件，其中各气体导管的出口与入口的截面面积比为约3∶1或更大。

10.一种处理基板的装置，包括：

具有内容积的工艺腔室；以及

如前述任一权利要求所限定的气体输送组件，该气体输送组件与工艺腔室相连以将工艺气体输送至内容积中。

11.一种处理基板的方法，包括：

使工艺气体流经一或多个第一容积进入比各第一容积更大的第二容积，其中各第一容积具有在流动方向上沿纵轴从第一截面向第二截面增大的截面，其中第二截面是非圆形的；以及

将工艺气体通过第二容积输送至基板。

12.权利要求19的方法，其中各第一容积的纵轴与第二容积的中心轴对齐。

13.权利要求11-12中任一项的方法，进一步包括：

使来自至少两个第一容积的工艺气体流动，其中所述至少两个第一容积具有径向相对的纵轴。

14.权利要求11-12中任一项的方法，进一步包括：

使来自至少两个第一容积的工艺气体流动，其中所述至少两个第一容积具有垂直的纵轴。

15.权利要求11-14中任一项的方法，进一步包括：

加热流经各第一容积的工艺气体。