[发明专利]热传导性硅氧烷组合物和半导体器件无效
| 申请号: | 200980131294.9 | 申请日: | 2009-08-20 |
| 公开(公告)号: | CN102124057A | 公开(公告)日: | 2011-07-13 |
| 发明(设计)人: | 加藤智子;中吉和己 | 申请(专利权)人: | 道康宁东丽株式会社 |
| 主分类号: | C08L83/04 | 分类号: | C08L83/04 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 张钦 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 一种热传导性硅氧烷组合物,其包含(A)在25℃下的粘度等于或大于100mPa·s的有机基聚硅氧烷;(B)平均粒度范围为0.1-100μm的铝粉;(C)平均粒度范围为0.05-50μm的氧化锌粉;(D)(i)含有具有不饱和脂族键的一价烃基的有机基聚硅氧烷,(ii)含有不具有不饱和脂族键的烃基的有机基聚硅氧烷,或组分(i)和(ii)的混合物;和(E)硅烷化合物或所述硅烷化合物的部分水解和缩合产物。该组合物具有高传导性和优异的可操作性。 | ||
| 搜索关键词: | 传导性 硅氧烷 组合 半导体器件 | ||
【主权项】:
一种热传导性硅氧烷组合物,其包含:(A)100质量份在25℃下的粘度等于或大于100mPa·s的有机基聚硅氧烷;(B)25‑4,500质量份平均粒度范围为0.1‑100μm的铝粉;(C)10‑1,000质量份平均粒度范围为0.05‑50μm的氧化锌粉;(D)(i)由下述通式表示的有机基聚硅氧烷:[R1aR2(3‑a)SiO(R1bR2(2‑b)SiO)m(R22SiO)n]cSiR2[4‑(c+d)](OR3)d其中,R1表示具有不饱和脂族键的一价烃基;R2表示不具有不饱和脂族键的一价烃基;R3表示选自烷基、烷氧基烷基、烯基或酰基的基团;“a”是0‑3的整数;“b”是1或2;“c”是1‑3的整数;“d”是1‑3的整数;“(c+d)”是2‑4的整数;“m”是等于或大于0的整数;“n”是等于或大于0的整数;然而,当“a”等于0时,“m”是等于或大于1的整数;和/或(ii)由下述通式表示的有机基聚硅氧烷:R23SiO(R22SiO)pR22Si‑R4‑SiR2(3‑d)(OR3)d其中,R2、R3和“d”如以上所定义,R4表示氧原子或二价烃基;和“p”是100‑500的整数,该组分的用量为0.01‑100质量份,以每100质量份组分(B)和(C)的总和计;和(E)具有下述通式的硅烷化合物或所述硅烷化合物的部分水解和缩合产物:R5eSi(OR6)(4‑e)其中,R5表示一价烃基、含环氧基的有机基团、含甲基丙烯酰基的有机基团、或含丙烯酰基的有机基团;R6表示烷基或烷氧基烷基;和“e”是1‑3的整数,该组分的用量为0.001‑10质量份,以每100质量份组分(B)和(C)的总和计。
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