[发明专利]热传导性硅氧烷组合物和半导体器件

权利要求书

1.一种热传导性硅氧烷组合物，其包含：

(A)100质量份在25℃下的粘度等于或大于100mPa·s的有机基聚硅氧烷；

(B)25-4,500质量份平均粒度范围为0.1-100μm的铝粉；

(C)10-1,000质量份平均粒度范围为0.05-50μm的氧化锌粉；

(D)(i)由下述通式表示的有机基聚硅氧烷：

[R¹_aR²_(3-a)SiO(R¹_bR²_(2-b)SiO)_m(R²₂SiO)_n]_cSiR²_[4-(c+d)](OR³)_d

其中，R¹表示具有不饱和脂族键的一价烃基；R²表示不具有不饱和脂族键的一价烃基；R³表示选自烷基、烷氧基烷基、烯基或酰基的基团；“a”是0-3的整数；“b”是1或2；“c”是1-3的整数；“d”是1-3的整数；“(c+d)”是2-4的整数；“m”是等于或大于0的整数；“n”是等于或大于0的整数；然而，当“a”等于0时，“m”是等于或大于1的整数；和/或

(ii)由下述通式表示的有机基聚硅氧烷：

R²₃SiO(R²₂SiO)_pR²₂Si-R⁴-SiR²_(3-d)(OR³)_d

其中，R²、R³和“d”如以上所定义，R⁴表示氧原子或二价烃基；和“p”是100-500的整数，

该组分的用量为0.01-100质量份，以每100质量份组分(B)和(C)的总和计；和

(E)具有下述通式的硅烷化合物或所述硅烷化合物的部分水解和缩合产物：R⁵_eSi(OR⁶)_(4-e)

其中，R⁵表示一价烃基、含环氧基的有机基团、含甲基丙烯酰基的有机基团、或含丙烯酰基的有机基团；R⁶表示烷基或烷氧基烷基；和“e”是1-3的整数，

该组分的用量为0.001-10质量份，以每100质量份组分(B)和(C)的总和计。

2.权利要求1的热传导性硅氧烷组合物，其中组分(A)为在一个分子中平均含有0.1或更多个与硅键合的烯基的有机基聚硅氧烷。

3.权利要求2的热传导性硅氧烷组合物，还包含：

(F)在一个分子中具有两个或更多个与硅键合的氢原子的有机基聚硅氧烷，该组分的用量为使得含在该组分中与硅键合的氢原子的含量范围为0.1-10摩尔，以每1摩尔含在组分(A)中的与硅键合的烯基计；和

(G)铂类金属基催化剂，该组分的用量为使得在该组分中铂类金属的含量范围以质量单位计为0.01-1,000ppm，以每质量份组分(A)和(F)的总和计。

4.权利要求1的热传导性硅氧烷组合物，其中组分(B)包含从至少两种类型的铝粉制备的混合物，所述至少两种类型的铝粉的平均粒度差等于或大于5μm。

5.权利要求1的热传导性硅氧烷组合物，其中以质量单位计，组分(B)与组分(C)的比例范围为0.1-9.9。

6.一种半导体器件，其包括附着有或涂有权利要求1-5任一项的热传导性硅氧烷组合物的半导体芯片。