[发明专利]除去向下流经风室的流体的气泡

摘要

一个示例实施方案中，用于将流体沉积在半导体晶片上的顶部附近头部包括接收流体的输送孔。所述顶部附近头部包括风室，其通过许多输入通道与所述输送孔相连，流体从所述输送孔流入所述输入通道。各输入通道具有倒置的V-型开口，其促使所有气泡向上流。所述流体从所述风室流经顶部附近头部外的输出通道而形成弯月面。通过通向返回孔的返回通道将所述流体从所述弯月面吸回到所述顶部附近头部。一通路将所述输送孔与所述返回孔相连，允许气泡从所述输送孔逃逸到所述返回孔。所述通路允许可忽略量的流体在所述两孔之间直接流动而不经过所述风室。

主权项

一种仪器，包括：在头部内的输送通路，其接收来自所述头部外面的流体；在所述头部内的风室，与允许所述流体从所述输送通路流入所述风室的输入通道相连，其中所述输入通道各自具有朝向所述风室的倒置V‑型开口以促使所述风室中的所有气泡经所述倒置的V‑型开口向上流；在所述头部内的输出通道，允许流体从所述风室向下流到基底上；在所述头部内的返回通路，其提供来自所述附近头部外面的抽吸力；和在所述头部内的连接通路，其将所述输送通路与所述返回通路相连并让一定量的流体从所述输送通路流到所述返回通路，其中所述量比从所述输送通路流到所述风室的流体总量小。