[发明专利]除去向下流经风室的流体的气泡有效

专利信息
申请号: 200980130735.3 申请日: 2009-08-17
公开(公告)号: CN102112193A 公开(公告)日: 2011-06-29
发明(设计)人: 恩里科·马尼;拉塞尔·马丁 申请(专利权)人: 朗姆研究公司
主分类号: B01D19/00 分类号: B01D19/00
代理公司: 上海胜康律师事务所 31263 代理人: 周文强;李献忠
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 除去 流经 流体 气泡
【权利要求书】:

1.一种仪器,包括:

在头部内的输送通路,其接收来自所述头部外面的流体;

在所述头部内的风室,与允许所述流体从所述输送通路流入所述风室的输入通道相连,其中所述输入通道各自具有朝向所述风室的倒置V-型开口以促使所述风室中的所有气泡经所述倒置的V-型开口向上流;

在所述头部内的输出通道,允许流体从所述风室向下流到基底上;

在所述头部内的返回通路,其提供来自所述附近头部外面的抽吸力;和

在所述头部内的连接通路,其将所述输送通路与所述返回通路相连并让一定量的流体从所述输送通路流到所述返回通路,其中所述量比从所述输送通路流到所述风室的流体总量小。

2.根据权利要求1所述的仪器,还包括与所述返回通路相连的、在所述头部内的返回通道,其中所述返回通道从所述基底抽吸所述流体。

3.根据权利要求1所述的仪器,其中已通过一次或多次流体输送和空转时间的交替循环将所述仪器初始化以消除所述输出通道、所述风室、所述输入通道和所述输送通道中的所述气泡。

4.根据权利要求3所述的仪器,其中交替循环的次数的大致范围为10-15。

5.根据权利要求1所述的仪器,其中所述基底为半导体晶片。

6.根据权利要求1所述的仪器,其中所述头部在基底上形成弯月面。

7.根据权利要求6所述的仪器,其中所述基底为半导体晶片。

8.根据权利要求5所述的仪器,其中所述流体为蚀刻流体。

9.根据权利要求7所述的仪器,其中所述流体为选自清洁流体和清洗流体的流体。

10.根据权利要求7所述的仪器,其中所述流体为进行Marangoni干燥的流体。

11.除去头部的风室内流体中的气泡的方法,包括:

将所述流体泵送入所述头部内的输送通路;

允许所述流体流入所述头部内的所述风室中,其中所述风室与允许所述流体从所述输送通路流入所述风室的输入通道相连,其中所述输入通道各自具有朝向所述风室的倒置V-型开口以促使所述风室中的所有气泡经所述倒置的V-型开口向上流;

允许所述流体从所述风室经所述头部内与所述风室相连的输出通道向下流到基底上;

在头部内返回通路中产生抽吸力,其中连接通路将所述输送通路和返回通路相连并允许一定量的流体从所述输送通路流到所述返回通路,其中所述量比从所述输送通路流到所述风室的流体总量小。

12.根据权利要求11所述的方法,还包括与所述返回通路相连的、在所述头部内的返回通道,其中所述返回通道从所述基底抽吸所述流体。

13.根据权利要求11所述的方法,还包括通过一次或多次流体输送和空转时间的交替循环将所述头部初始化以消除所述输出通道、所述风室、所述输入通道和所述输送通道中的所述气泡的工序。

14.根据权利要求13所述的方法,其中交替循环的次数的大致范围为10-15。

15.根据权利要求11所述的方法,其中所述基底为半导体晶片。

16.根据权利要求11所述的方法,其中所述头部在基底上形成弯月面。

17.根据权利要求16所述的方法,其中所述基底为半导体晶片。

18.根据权利要求17所述的方法,其中所述流体为选自清洁流体和清洗流体的流体。

19.根据权利要求17所述的方法,其中所述流体为进行Marangoni干燥的流体。

20.一种自吸头部的方法,包括:

通过一次或多次重复以下工序将所述头部初始化以在基底上产生弯月面:

将流体泵送入所述头部内的输送通道,所述输送通道允许所述流体向下经多条输入通道进入所述头部内的风室中,所述风室允许所述流体向下经多条输出通道流到所述基底上,其中所述输入通道各自具有倒置的V-型开口;和

通过经所述风室和经朝向所述输送通道的倒置V-型开口和经将所述输送通道与输出气泡的返回通道相连的连接通路向上抽吸所述气泡除去所述输出通道、所述风室、所述输入通道和所述输送通道的所述气泡,其中所述连接通路允许一定量的流体从所述输送通路流到所述返回通路,所述量比从所述输送通路流到所述风室的流体总量小;和

通过将所述流体泵送入所述输送通道来在基底上形成所述弯月面。

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