[发明专利]用于检测晶片中微小裂纹的装置及其方法有效
| 申请号： | 200980130445.9 | 申请日： | 2009-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN102113106A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 曾淑玲 | 申请（专利权）人： | 布鲁星企业私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L31/042 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;吕俊刚 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种晶片检查的方法和装置。该方法和装置包括使光大体上沿着第一轴指向晶片的第一表面，由此获得沿着第一轴从晶片的第二表面发出的光，其中，晶片的第一表面和第二表面大体上向外相对，并且大体上平行于一个平面延伸。该方法和装置还包括使光大体上沿着第二轴指向晶片的第一表面，由此获得沿着第二轴从晶片的第二表面发出的光，第一轴关于沿着该平面延伸的参考轴与第二轴偏离开一角度。更具体来讲，第一轴在该平面上的正投影与第二轴在该平面上的正投影大体上平行，并且，第一轴和第二轴在该平面上的正投影都与该参考轴大体上垂直。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 检测 晶片 微小 裂纹 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种进行晶片检查的方法，该方法包括以下步骤：使光大体上沿着第一轴指向晶片的第一表面，由此获得沿着第一轴从晶片的第二表面发出的光，其中，晶片的第一表面和第二表面大体上向外相对，并且大体上平行于一个平面延伸；以及使光大体上沿着第二轴指向晶片的第一表面，由此获得沿着第二轴从晶片的第二表面发出的光，第一轴关于沿着所述平面延伸的参考轴与第二轴偏离开一角度，其中，第一轴在所述平面上的正投影与第二轴在所述平面上的正投影大体上平行，并且，第一轴和第二轴在所述平面上的正投影都与所述参考轴大体上垂直。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于布鲁星企业私人有限公司，未经布鲁星企业私人有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980130445.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种烧结余热发电系统
- 下一篇：烧结机尾部星轮阻尼装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
