[发明专利]用于检测晶片中微小裂纹的装置及其方法有效
申请号: | 200980130445.9 | 申请日: | 2009-05-15 |
公开(公告)号: | CN102113106A | 公开(公告)日: | 2011-06-29 |
发明(设计)人: | 曾淑玲 | 申请(专利权)人: | 布鲁星企业私人有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L31/042 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;吕俊刚 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 检测 晶片 微小 裂纹 装置 及其 方法 | ||
1.一种进行晶片检查的方法,该方法包括以下步骤:
使光大体上沿着第一轴指向晶片的第一表面,由此获得沿着第一轴从晶片的第二表面发出的光,其中,晶片的第一表面和第二表面大体上向外相对,并且大体上平行于一个平面延伸;以及
使光大体上沿着第二轴指向晶片的第一表面,由此获得沿着第二轴从晶片的第二表面发出的光,第一轴关于沿着所述平面延伸的参考轴与第二轴偏离开一角度,
其中,第一轴在所述平面上的正投影与第二轴在所述平面上的正投影大体上平行,并且,第一轴和第二轴在所述平面上的正投影都与所述参考轴大体上垂直。
2.根据权利要求1所述的方法,该方法还包括以下步骤:基于大体上沿着第一轴从晶片的第二表面发出的光来形成第一表面的第一图像,晶片中形成有裂纹,第一图像包含该裂纹的至少一个第一部分;以及基于大体上沿着第二轴从晶片的第二表面发出的光来形成第一表面的第二图像,第二图像包含该裂纹的至少一个第二部分。
3.根据权利要求2所述的方法,该方法还包括以下步骤:基于所述裂纹的所述至少一个第一部分和所述至少一个第二部分、根据第一图像和第二图像来构建第三图像,能对第三图像大体上进行处理,以检查晶片中的所述裂纹。
4.根据权利要求3所述的方法,该方法还包括以下步骤:将第一图像和第二图像重叠,由此获得第三图像。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,使光大体上沿着第一轴指向晶片的第一表面的步骤包括:使光按照大体上与所述平面成锐角的方式指向晶片的第一表面。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,使光大体上沿着第二轴指向晶片的第一表面的步骤包括:使光按照大体上与所述平面成锐角的方式指向晶片的第一表面。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,使光大体上沿着第一轴指向晶片的第一表面,由此获得沿着第一轴从晶片的第二表面发出的光的步骤包括:沿着第一轴在所述平面上的正投影来传送晶片。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,使光大体上沿着第二轴指向晶片的第一表面,由此获得沿着第二轴从晶片的第二表面发出的光的步骤包括:沿着第二轴在所述平面上的正投影来传送晶片。
9.根据权利要求1所述的方法,该方法还包括以下步骤:提供第一成像装置,以捕获沿着第一轴从晶片的第二表面发出的光。
10.根据权利要求1所述的方法,该方法还包括以下步骤:提供第二成像装置,以捕获沿着第二轴从晶片的第二表面发出的光。
11.一种装置,该装置包括:
第一光源,其使光大体上沿着第一轴指向晶片的第一表面,由此获得沿着第一轴从晶片的第二表面发出的光,其中,晶片的第一表面和第二表面大体上向外相对,并且大体上平行于一个平面延伸;以及
第二光源,其使光大体上沿着第二轴指向晶片的第一表面,由此获得沿着第二轴从晶片的第二表面发出的光,第一轴关于沿着所述平面延伸的参考轴与第二轴偏离开一角度,
其中,第一轴在所述平面上的正投影与第二轴在所述平面上的正投影大体上平行,并且,第一轴和第二轴在所述平面上的正投影都与所述参考轴大体上垂直。
12.根据权利要求11所述的装置,该装置还包括:第一成像装置,用于基于大体上沿着第一轴从晶片的第二表面发出的光来形成第一表面的第一图像,晶片中形成有裂纹,第一图像包含该裂纹的至少一个第一部分。
13.根据权利要求11所述的装置,该装置还包括:第二成像装置,用于基于大体上沿着第二轴从晶片的第二表面发出的光来形成第一表面的第二图像,第二图像包含所述裂纹的至少一个第二部分。
14.根据权利要求11所述的装置,该装置还包括:计算机,用于基于所述裂纹的所述至少一个第一部分和所述至少一个第二部分、根据第一图像和第二图像来构建第三图像,该计算机能对第三图像大体上进行处理,以检查晶片中的所述裂纹。
15.根据权利要求14所述的装置,其中,所述计算机将第一图像和第二图像重叠,由此获得第三图像。
16.根据权利要求11所述的装置,其中,第一光源按照大体上与所述平面成锐角的方式将光指向晶片的第一表面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于布鲁星企业私人有限公司,未经布鲁星企业私人有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200980130445.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种烧结余热发电系统
- 下一篇:烧结机尾部星轮阻尼装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造