[发明专利]使用掺杂层屏蔽的混合异质结太阳能电池制造无效
| 申请号: | 200980130196.3 | 申请日: | 2009-07-16 |
| 公开(公告)号: | CN102113132A | 公开(公告)日: | 2011-06-29 |
| 发明(设计)人: | 蒂莫西·W·韦德曼;罗希特·米什拉;迈克尔·P·斯图尔特;永华·克里斯·查;迦毕罗·P·威杰库恩;洪彬·方 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;钟强 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 本发明的实施方式包含利用新颖的处理程序来形成太阳能电池装置,进而形成高效率的太阳能电池。在一实施方式中,方法包括形成掺杂层至基板背面上、加热掺杂层和基板,促使掺杂层扩散进入基板背面、在加热掺杂层和基板后,纹理化基板正面、形成介电层至基板背面上、移除背面的部分介电层,以形成基板的多个露出区域、以及沉积金属层至基板背面上,其中金属层电性连接基板的多个露出区域中的至少一露出区域,且至少一露出区域具有掺杂层提供的掺杂原子。 | ||
| 搜索关键词: | 使用 掺杂 屏蔽 混合 异质结 太阳能电池 制造 | ||
【主权项】:
一种形成太阳能电池装置的方法,包含下列步骤:在一结晶硅基板的一背面上形成一第一掺杂层;以及纹理化该结晶硅基板的一正面,其中位于该背面上的该第一掺杂层用于在纹理化该正面的工艺期间避免实质蚀刻该背面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





