[发明专利]使用掺杂层屏蔽的混合异质结太阳能电池制造

权利要求书

1.一种形成太阳能电池装置的方法，包含下列步骤：

在一结晶硅基板的一背面上形成一第一掺杂层；以及

纹理化该结晶硅基板的一正面，其中位于该背面上的该第一掺杂层用于在纹理化该正面的工艺期间避免实质蚀刻该背面。

2.根据权利要求1所述的方法，其中该第一掺杂层包含掺杂原子，该结晶硅基板包含内含掺杂原子的硅，且该第一掺杂层的掺杂原子与该结晶硅基板的掺杂原子具有同样的导电型态。

3.根据权利要求2所述的方法，其中该第一掺杂层包含一硅酸盐玻璃材料。

4.根据权利要求1所述的方法，还包含下列步骤：

加热该第一掺杂层和该结晶硅基板，促使该第一掺杂层扩散进入该结晶硅基板的该背面；

在该背面上形成该第一掺杂层后，在至少一部分的该背面上形成一介电层；

从该背面移除一部分的该介电层，以形成该结晶硅基板的多个露出区域；以及

沉积一金属层至该结晶硅基板的该背面上，其中该金属层电性连接该结晶硅基板的所述多个露出区域中的至少一露出区域。

5.根据权利要求4所述的方法，其中该金属层包含一金属或一金属合金，其选自由铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、锡(Sn)、钴(Co)、铼(Rh)、镍(Ni)、锌(Zn)、铅(Pb)、钯(Pd)、钨(W)、钛(Ti)、钽(Ta)、钼(Mo)、铝(Al)、氮化钛(TiN)、钛钨(TiW)、氮化钽(TaN)和镍钒(NiV)组成的一群组。

6.根据权利要求4所述的方法，其中从该背面移除一部分的该介电层的步骤包含：选择性沉积一蚀刻材料至该介电层上，该蚀刻材料包含一掺杂原子。

7.根据权利要求6所述的方法，更包含加热该介电层和该蚀刻材料达一温度，以容许该蚀刻材料蚀刻该介电层并容许该蚀刻材料中的该掺杂原子扩散进入该结晶硅基板的所述露出区域。

8.根据权利要求1所述的方法，其中纹理化该结晶硅基板的该正面包含将该结晶硅基板浸渍于一纹理蚀刻液，该纹理蚀刻液包含一蚀刻剂，且该蚀刻剂选自由氟化铵、氟化氢、氢氧化钾和氢氟酸组成的一群组。

9.根据权利要求8所述的方法，其中该纹理蚀刻液更包含聚乙二醇、丙三醇和三乙醇胺。

10.根据权利要求1所述的方法，更包含下列步骤：

在该结晶硅基板的该正面的一预定区域，选择性形成一第二掺杂层；以及

加热该第一掺杂层和该第二掺杂层，促使该第一掺杂层和该第二掺杂层同时扩散进入该结晶硅基板的该背面和该正面。

11.根据权利要求10所述的方法，其中该第二掺杂层包含一材料，选自由磷(P)、砷(As)、锑(Sb)、聚磷酸、磷硅酸盐玻璃前驱物、磷酸(H₃PO₄)、亚磷酸(H₃PO₃)、次磷酸(H₃PO₂)和其铵盐组成的一群组。

12.根据权利要求1所述的方法，该方法还包含下列步骤：

在一结晶硅基板的一背面形成一无定形硅层；以及

纹理化该结晶硅基板的一正面，其中位于该背面的该无定形硅层用于在纹理化该正面的工艺期间避免实质蚀刻该背面。

13.根据权利要求12所述的方法，其中该无定形硅层更包含一覆盖层，其形成于该无定形硅层的一表面上。

14.根据权利要求13所述的方法，其中该覆盖层为一层，含有选自由氧化硅、氮化硅和氮氧化硅组成的群组的材料。

15.一种用以形成太阳能电池的系统，其包含：

一第一处理模块，其用以沉积一掺杂层至一硅基板的一第一表面上；

一第二处理模块，其用以加热该无定形硅掺杂层和该硅基板；

一第三处理模块，其用以保留一纹理蚀刻液，来在该硅基板的一第二表面上形成一纹理，该第二表面相对该第一表面，其中该第三处理模块位于该第一处理模块下游；

一第四处理模块，其用以沉积一介电层至该硅基板的该第一表面上；

一第五处理模块，其用以沉积一蚀刻材料至该介电层上；

一第六处理模块，其用以沉积一金属层至该介电层上；以及

多个自动化装置，其用以传送该硅基板至该第一处理模块、该第二处理模块、该第三处理模块、该第四处理模块、该第五处理模块和该第六处理模块。