[发明专利]贯通电极基板及其制造方法和使用贯通电极基板的半导体装置有效
| 申请号： | 200980130037.3 | 申请日： | 2009-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN102150246A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 前川慎志;铃木美雪 | 申请（专利权）人： | 大日本印刷株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/288;H01L23/52;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18;H01L29/84;H05K1/11;H05K3/40 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种贯通电极基板及使用着该贯通电极基板的半导体装置，在该贯通电极基板中，提高了将基板的表面和背面导通的导通部中的电特性。本发明的贯通电极基板(100)具备具有贯通表面和背面的贯通孔(104)的基板(102)；和填充在贯通孔(104)内并含有金属材料的导通部(106)，导通部(106)至少包含面积加权后的平均晶粒直径为13μm以上的金属材料。另外，导通部(106)包含晶粒直径为29μm以上的金属材料。此外，导通部的一端含有面积加权后的平均晶粒直径比13μm小的金属材料，导通部的另一端至少含有面积加权后的平均晶粒直径为13μm以上的金属材料。 | ||
| 搜索关键词： | 贯通 电极 及其 制造 方法 使用 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种贯通电极基板，其特征在于：具备：基板，其具有贯通表面和背面的贯通孔；和导通部，其填充在所述贯通孔内并包含金属材料，所述导通部至少包含面积加权后的平均晶粒直径为13μm以上的金属材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
