[发明专利]贯通电极基板及其制造方法和使用贯通电极基板的半导体装置

权利要求书

1.一种贯通电极基板，其特征在于：

具备：

基板，其具有贯通表面和背面的贯通孔；和

导通部，其填充在所述贯通孔内并包含金属材料，

所述导通部至少包含面积加权后的平均晶粒直径为13μm以上的金属材料。

2.根据权利要求1所述的贯通电极基板，其特征在于：

所述导通部至少包含晶粒直径为29μm以上的金属材料。

3.根据权利要求1所述的贯通电极基板，其特征在于：

至少包含所述导通部的一端与所述导通部的另一端相比其面积加权后的平均晶粒直径大的金属材料。

4.根据权利要求1所述的贯通电极基板，其特征在于：

所述基板由硅构成，

所述导通部至少形成于设置在所述基板侧的绝缘层上。

5.根据权利要求1所述的贯通电极基板，其特征在于：

所述贯通孔的开口直径是10μm～100μm，并且所述基板的厚度是20～100μm。

6.根据权利要求1所述的贯通电极基板，其特征在于：

所述贯通孔的开口直径是10μm～100μm，并且所述基板的厚度是300～800μm。

7.一种半导体装置，其特征在于：

具有多个权利要求1所述的贯通电极基板，并且将所述多个贯通电极基板层叠。

8.一种半导体装置，其特征在于：

至少包含一个具备连接端子部的半导体芯片，

采用将所述连接端子部与权利要求1所述的贯通电极基板的导通部连接的结构。

9.一种贯通电极基板的制造方法，其特征在于：

在基板上形成贯通表面和背面的贯通孔，

在所述基板和所述贯通孔的表面形成绝缘膜，

在所述基板的至少一方和/或所述贯通孔形成由金属构成的种子膜，

通过对所述种子膜供给脉冲电流的电解电镀法，向所述贯通孔内填充金属材料。

10.根据权利要求9所述的贯通电极基板的制造方法，其特征在于：

所述电解电镀法通过对所述种子膜周期性地施加正电压和负电压来进行。

11.根据权利要求10所述的贯通电极基板的制造方法，其特征在于：

利用对所述种子膜供给第一时间直流电流的电解电镀法，在所述贯通孔形成金属材料之后，利用对所述种子膜供给第二时间脉冲电流的电解电镀法，而在所述贯通孔内填充金属材料。

12.根据权利要求9所述的贯通电极基板的制造方法，其特征在于：

对所述种子膜供给脉冲电流的所述电解电镀法包含增大所述脉冲电流的电流密度并且在所述贯通孔内填充所述金属材料的工序。