[发明专利]光子对源及其制造方法无效
| 申请号： | 200980129968.1 | 申请日： | 2009-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN102113188A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 姆米·温克尔恩肯帕;安德烈·施利瓦;迪特尔·宾贝格 | 申请（专利权）人： | 柏林工业大学 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 李冬梅;郑霞 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造具有至少一个量子点的、生成纠缠光子对的光子对源的方法，其中，通过设定至少一个量子点的激子能级的精细结构劈裂来确定所述光子对源的工作特性。根据本发明设计成通过将所述至少一个量子点沉淀在半导体基底的{111}晶面上，来实现所述激子能级的精细结构劈裂的设定。 | ||
| 搜索关键词： | 光子 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造用于生成纠缠光子对的光子对源的方法，所述光子对源具有至少一个量子点，其中，通过设定至少一个量子点的激子能级的精细结构劈裂来确定所述光子对源的工作特性，其特征在于，通过将所述至少一个量子点沉淀在半导体基底的{111}晶面上，来实现对所述激子能级的精细结构劈裂的设定。
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