[发明专利]光子对源及其制造方法

权利要求书

1.一种制造用于生成纠缠光子对的光子对源的方法，所述光子对源具有至少一个量子点，其中，通过设定至少一个量子点的激子能级的精细结构劈裂来确定所述光子对源的工作特性，其特征在于，

通过将所述至少一个量子点沉淀在半导体基底的{111}晶面上，来实现对所述激子能级的精细结构劈裂的设定。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

产生在0.05和0.7之间，特别是在0.15和0.5之间的量子点的垂直高宽比。

3.如前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，

在所述半导体基底的支承面上，将所述量子点的高与所述量子点的直径之间的比值设定在0.05和0.7之间。

4.如前述权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，

所述至少一个量子点由混合晶体制造，其中所述混合晶体包括被嵌入Ga(In，Al)As晶体之中的In(Ga)As材料。

5.如前述权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，

所述至少一个量子点由混合晶体制造，其中所述混合晶体包括被嵌入Ga(In，Al)P晶体之中的In(Ga)P材料。

6.如前述权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，

所述至少一个量子点由混合晶体制造，其中所述混合晶体包括被嵌入Ga(In，Al)P晶体之中的In(Ga)As材料。

7.如前述权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，

制造由具有In_xGa_1-xAs材料的混合晶体组成的所述至少一个量子点，其中x介于0.3和1之间。

8.如前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，

在所述半导体基底的支承面上，制造直径在5nm和50nm之间，特别是在10nm和20nm之间的所述量子点。

9.如前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，

制造特别从垂直于所述基底{111}面的角度看的轮廓是三角形、六角形或圆形的所述量子点。

10.一种生成纠缠光子对的光子对源，该光子对源具有至少一个量子点，其特征在于，

所述至少一个量子点被沉淀在半导体基底的{111}晶面上。

11.如权利要求10所述的光子对源，其特征在于，

在所述半导体基底{111}晶面的支承面上，所述量子点的高与所述量子点的直径之间的比值介于0.05和0.7之间，特别是介于0.15和0.5之间。

12.如前述权利要求10至11中任一项所述的光子对源，其特征在于，

所述至少一个量子点和/或所述半导体基底由混合晶体组成，所述混合晶体包含：

-In(Ga)As材料，其被嵌入Ga(In，Al)As晶体之中，和/或

-In(Ga)P材料，其被嵌入Ga(In，Al)P晶体之中，和/或

-In(Ga)As材料，其被嵌入In(Ga，Al)P晶之中，和/或

-In_xGa_1-xAs材料，其中x介于0.3和1之间。

13.如前述权利要求10至12中任一项所述的光子对源，其特征在于，

在所述半导体基底{111}晶面的支承面上，所述量子点的直径在5nm和50nm之间，特别是在10nm和20nm之间。

14.如前述权利要求10至13中任一项所述的光子对源，其特征在于，

所述量子点具有特别是从垂直于所述半导体基底的{111}面的角度来看是三角形、六角形或圆形的轮廓。