[发明专利]改良式多层静电晶圆卡盘平台无效
申请号: | 200980129366.6 | 申请日: | 2009-06-04 |
公开(公告)号: | CN102105976A | 公开(公告)日: | 2011-06-22 |
发明(设计)人: | 罗杰·B·费许 | 申请(专利权)人: | 瓦里安半导体设备公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/687;H01L21/265 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 美国麻*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种分层式组件,采用两片结构,包括非导电层与导热层。其中导热层是用包含金属与热膨胀系数改良剂的复合材料来制成,而非使用金属来制成。这种复合材料可具有与非导电层接近或相同的热膨胀系数,从而排除了先前技术中的许多缺点。在一实施例中,此复合材料是铝与碳(或石墨)纤维的混合物。在另一实施例中,导热层被铸造成型之前要将一个或多个流体导管放入模具。这些导管是用作静电卡盘中的流体通道。在另一实施例中,此复合材料是诸如硅的半导体材料与铝的混合物,其中导管是透过机械加工与接合而形成的。 | ||
搜索关键词: | 改良 多层 静电 卡盘 平台 | ||
【主权项】:
一种分层式组件,包括:a.第一非导电层,具有第一热膨胀系数;以及b.第二导热层,与所述第一非导电层接合在一起,所述第二导热层包含金属与热膨胀系数改良剂,所述第二导热层具有第二热膨胀系数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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