[发明专利]改良式多层静电晶圆卡盘平台

权利要求书

1.一种分层式组件，包括：

a.第一非导电层，具有第一热膨胀系数；以及

b.第二导热层，与所述第一非导电层接合在一起，所述第二导热层包含金属与热膨胀系数改良剂，所述第二导热层具有第二热膨胀系数。

2.根据权利要求1所述的分层式组件，其中所述第一热膨胀系数与所述第二热膨胀系数是在彼此的100％范围内。

3.根据权利要求1所述的分层式组件，其中所述第一热膨胀系数与所述第二热膨胀系数经挑选以产生+/-100℃的工作范围。

4.根据权利要求1所述的分层式组件，其中所述第一非导电层包含氧化铝。

5.根据权利要求1所述的分层式组件，其中所述第二导热层中的所述金属包含铝。

6.根据权利要求1所述的分层式组件，其中所述热膨胀系数改良剂包括碳或石墨纤维。

7.根据权利要求1所述的分层式组件，其中所述热膨胀系数改良剂包括硅。

8.根据权利要求1所述的分层式组件，其中所述分层式组件包括静电卡盘。

9.根据权利要求1所述的分层式组件，还包括：

a.流体导管，在所述第二导热层中。

10.根据权利要求9所述的分层式组件，其中所述第一非导电层包括氧化铝。

11.根据权利要求9所述的分层式组件，其中所述导管包括熔点高于所述第二导热层的管子。

12.根据权利要求11所述的分层式组件，其中所述管子包括从因钢、钼以及不锈钢所组成的群组中挑选的材料。

13.根据权利要求9所述的分层式组件，其中所述第二导热层包含铝以及石墨或碳纤维。

14.根据权利要求9所述的分层式组件，其中所述组件包括静电卡盘。

15.一种晶圆离子注入法，包括：

a.提供一种包含离子源的离子注入系统；

b.提供一种静电卡盘，所述静电卡盘包括：

i.第一非导电层，具有第一热膨胀系数；

ii.第二导热层，与所述第一非导电层接合在一起，所述第二导热层具有第二热膨胀系数；以及

iii.流体导管，在所述第二导热层中；

c.使一种流体流经所述导管，以将所述卡盘维持在需要的温度下；

d.用所述静电卡盘支撑着所述晶圆；以及

e.将离子从所述离子源注入所述晶圆。

16.根据权利要求15所述的晶圆离子注入法，其中所述第一非导电层包括氧化铝。

17.根据权利要求15所述的晶圆离子注入法，其中所述导管包括熔点高于所述第二导热层的管子。

18.根据权利要求17所述的晶圆离子注入法，其中所述管子包括从因钢、钼以及不锈钢所组成的群组中挑选的材料。

19.根据权利要求15所述的晶圆离子注入法，其中所述第二导热层包含铝以及石墨或碳纤维。

20.根据权利要求15所述的晶圆离子注入法，其中所述流体包括氮。

21.根据权利要求15所述的晶圆离子注入法，还包括使所述晶圆保持在-100℃与100℃之间的温度。

22.一种使静电卡盘支撑着要执行离子注入的晶圆的方法，包括：

a.确定对所述晶圆进行注入所需的工作温度范围；

b.提供所述卡盘的第一层，用来接触晶圆且以静电方式来支撑着所述晶圆；所述第一层具非导电性；

c.确定所述第一层的热膨胀系数；

d.提供所述卡盘的第二层，所述第二层具导热性；

e.确定所述第二层的热膨胀系数；

f.按照有助于形成具有一定热膨胀系数的复合第二层的量，在所述第二层上添加热膨胀系数改良剂，藉此来改良所述第二层的所述热膨胀系数，使得所述静电卡盘能够在理想的所述工作温度范围内工作；以及

g.将所述第二复合层与所述第一层接合在一起。