[发明专利]氧化物薄膜用溅射靶及其制造方法有效
| 申请号： | 200980129196.1 | 申请日： | 2009-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN102105619A | 公开（公告）日： | 2011-06-22 |
| 发明（设计）人： | 川岛浩和;矢野公规;宇都野太;井上一吉 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C04B35/00;H01L21/363 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 翟赟琪 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是提供可抑制使用溅射法的氧化物半导体膜成膜时产生异常放电，可连续稳定成膜的溅射靶。提供具有稀土氧化物C型的结晶结构、表面无白点(溅射靶表面上所产生的凹凸等的外观不良)的溅射靶用的氧化物。本发明提供具有方铁锰矿结构的含有氧化铟、氧化镓、氧化锌的氧化物烧结体，铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的组成量为以原子％表示满足下式。In/(In+Ga+Zn)＜0.75 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 薄膜 溅射 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种烧结体，其是具有方铁锰矿结构的含有氧化铟、氧化镓、氧化锌的氧化物烧结体，其中，铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的组成量以原子％计满足下式，In/(In+Ga+Zn)＜0.75。
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