[发明专利]氧化物薄膜用溅射靶及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200980129196.1 申请日: 2009-06-05
公开(公告)号: CN102105619A 公开(公告)日: 2011-06-22
发明(设计)人: 川岛浩和;矢野公规;宇都野太;井上一吉 申请(专利权)人: 出光兴产株式会社
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C04B35/00;H01L21/363
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 翟赟琪
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 氧化物 薄膜 溅射 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种烧结体,其是具有方铁锰矿结构的含有氧化铟、氧化镓、氧化锌的氧化物烧结体,其中,铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的组成量以原子%计满足下式,

In/(In+Ga+Zn)<0.75。

2.根据权利要求1所述的氧化物烧结体,其特征在于,铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的组成量以原子%计满足下式,

0.10<Ga/(In+Ga+Zn)<0.49。

3.根据权利要求1或2所述的氧化物烧结体,其特征在于,铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的组成量以原子%计满足下式,

0.05<Zn/(In+Ga+Zn)<0.65。

4.一种氧化物烧结体,其含有具有方铁锰矿结构的氧化铟和以组成式In2Ga2ZnO7表示的Yb2Fe3O7结构化合物。

5.根据权利要求4所述的氧化物烧结体,其中,所述氧化物烧结体中的铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的组成量以原子%计满足下式,

0.5<In/(In+Ga)<0.98、0.6<Ga/(Ga+Zn)<0.99。

6.根据权利要求4或5所述的氧化物烧结体,其中,所述氧化铟与所述In2Ga2ZnO7的In的一部份被正四价以上的金属元素(X)固溶取代。

7.一种氧化物烧结体,其中,含有具有方铁锰矿结构的氧化铟、以及以InGaO3(ZnO)m表示的1或2种以上的同系结构化合物,其中,m是1~4的自然数。

8.根据权利要求7所述的氧化物烧结体,其中,所述氧化物烧结体中的铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的组成量以原子%计满足下式,

0.5<In/(In+Ga)<0.99、0.2<Zn/(In+Ga+Zn)<0.7。

9.根据权利要求7或8所述的氧化物烧结体,其中,所述氧化铟、或所述1或2种以上的同系结构化合物中的In的一部份被正四价以上的金属元素固溶取代。

10.一种氧化物烧结体,其特征在于,除氧之外的全部原子的原子数为100原子%时,含有In(铟)24~49原子%,且具有稀土氧化物C型的结晶结构。

11.根据权利要求10所述的氧化物烧结体,其特征在于,除氧之外的全部原子的原子数为100原子%时,含有In(铟)24~49原子%、含有Ga(镓)10~49原子%、含有Zn(锌)5~65原子%,且具有稀土氧化物C型的结晶结构。

12.根据权利要求10或11所述的氧化物烧结体,其中,构成稀土氧化物C型的结晶结构的In的一部份被正四价以上的金属元素固溶取代。

13.根据权利要求10~12中任一项所述的氧化物烧结体,其特征在于,具有平均结晶粒径为20μm以下的稀土氧化物C型的结晶结构。

14.根据权利要求1~13中任一项所述的氧化物烧结体,其相对密度为80%以上。

15.根据权利要求1~13中任一项所述的氧化物烧结体,其相对密度为90%以上。

16.根据权利要求1~15中任一项所述的氧化物烧结体,其特征在于,体电阻在0.1~100mΩ·cm的范围内。

17.根据权利要求1~15中任一项所述的氧化物烧结体,其体电阻为1×10-2Ωcm以下。

18.根据权利要求1~17中任一项所述的氧化物烧结体,其特征在于,晶格常数

19.根据权利要求6、9、12~18中任一项所述的氧化物烧结体,其特征在于,除氧之外的全部原子的原子数为100原子%时,含有正四价以上的金属元素10~10000ppm。

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