[发明专利]氧化物薄膜用溅射靶及其制造方法

权利要求书

1.一种烧结体，其是具有方铁锰矿结构的含有氧化铟、氧化镓、氧化锌的氧化物烧结体，其中，铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的组成量以原子％计满足下式，

In/(In+Ga+Zn)＜0.75。

2.根据权利要求1所述的氧化物烧结体，其特征在于，铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的组成量以原子％计满足下式，

0.10＜Ga/(In+Ga+Zn)＜0.49。

3.根据权利要求1或2所述的氧化物烧结体，其特征在于，铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的组成量以原子％计满足下式，

0.05＜Zn/(In+Ga+Zn)＜0.65。

4.一种氧化物烧结体，其含有具有方铁锰矿结构的氧化铟和以组成式In₂Ga₂ZnO₇表示的Yb₂Fe₃O₇结构化合物。

5.根据权利要求4所述的氧化物烧结体，其中，所述氧化物烧结体中的铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的组成量以原子％计满足下式，

0.5＜In/(In+Ga)＜0.98、0.6＜Ga/(Ga+Zn)＜0.99。

6.根据权利要求4或5所述的氧化物烧结体，其中，所述氧化铟与所述In₂Ga₂ZnO₇的In的一部份被正四价以上的金属元素(X)固溶取代。

7.一种氧化物烧结体，其中，含有具有方铁锰矿结构的氧化铟、以及以InGaO₃(ZnO)_m表示的1或2种以上的同系结构化合物，其中，m是1～4的自然数。

8.根据权利要求7所述的氧化物烧结体，其中，所述氧化物烧结体中的铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的组成量以原子％计满足下式，

0.5＜In/(In+Ga)＜0.99、0.2＜Zn/(In+Ga+Zn)＜0.7。

9.根据权利要求7或8所述的氧化物烧结体，其中，所述氧化铟、或所述1或2种以上的同系结构化合物中的In的一部份被正四价以上的金属元素固溶取代。

10.一种氧化物烧结体，其特征在于，除氧之外的全部原子的原子数为100原子％时，含有In(铟)24～49原子％，且具有稀土氧化物C型的结晶结构。

11.根据权利要求10所述的氧化物烧结体，其特征在于，除氧之外的全部原子的原子数为100原子％时，含有In(铟)24～49原子％、含有Ga(镓)10～49原子％、含有Zn(锌)5～65原子％，且具有稀土氧化物C型的结晶结构。

12.根据权利要求10或11所述的氧化物烧结体，其中，构成稀土氧化物C型的结晶结构的In的一部份被正四价以上的金属元素固溶取代。

13.根据权利要求10～12中任一项所述的氧化物烧结体，其特征在于，具有平均结晶粒径为20μm以下的稀土氧化物C型的结晶结构。

14.根据权利要求1～13中任一项所述的氧化物烧结体，其相对密度为80％以上。

15.根据权利要求1～13中任一项所述的氧化物烧结体，其相对密度为90％以上。

16.根据权利要求1～15中任一项所述的氧化物烧结体，其特征在于，体电阻在0.1～100mΩ·cm的范围内。

17.根据权利要求1～15中任一项所述的氧化物烧结体，其体电阻为1×10^-2Ωcm以下。

18.根据权利要求1～17中任一项所述的氧化物烧结体，其特征在于，晶格常数

19.根据权利要求6、9、12～18中任一项所述的氧化物烧结体，其特征在于，除氧之外的全部原子的原子数为100原子％时，含有正四价以上的金属元素10～10000ppm。