[发明专利]氧化物薄膜用溅射靶及其制造方法有效
申请号: | 200980129196.1 | 申请日: | 2009-06-05 |
公开(公告)号: | CN102105619A | 公开(公告)日: | 2011-06-22 |
发明(设计)人: | 川岛浩和;矢野公规;宇都野太;井上一吉 | 申请(专利权)人: | 出光兴产株式会社 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C04B35/00;H01L21/363 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 翟赟琪 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 氧化物 薄膜 溅射 及其 制造 方法 | ||
1.一种烧结体,其是具有方铁锰矿结构的含有氧化铟、氧化镓、氧化锌的氧化物烧结体,其中,铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的组成量以原子%计满足下式,
In/(In+Ga+Zn)<0.75。
2.根据权利要求1所述的氧化物烧结体,其特征在于,铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的组成量以原子%计满足下式,
0.10<Ga/(In+Ga+Zn)<0.49。
3.根据权利要求1或2所述的氧化物烧结体,其特征在于,铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的组成量以原子%计满足下式,
0.05<Zn/(In+Ga+Zn)<0.65。
4.一种氧化物烧结体,其含有具有方铁锰矿结构的氧化铟和以组成式In2Ga2ZnO7表示的Yb2Fe3O7结构化合物。
5.根据权利要求4所述的氧化物烧结体,其中,所述氧化物烧结体中的铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的组成量以原子%计满足下式,
0.5<In/(In+Ga)<0.98、0.6<Ga/(Ga+Zn)<0.99。
6.根据权利要求4或5所述的氧化物烧结体,其中,所述氧化铟与所述In2Ga2ZnO7的In的一部份被正四价以上的金属元素(X)固溶取代。
7.一种氧化物烧结体,其中,含有具有方铁锰矿结构的氧化铟、以及以InGaO3(ZnO)m表示的1或2种以上的同系结构化合物,其中,m是1~4的自然数。
8.根据权利要求7所述的氧化物烧结体,其中,所述氧化物烧结体中的铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的组成量以原子%计满足下式,
0.5<In/(In+Ga)<0.99、0.2<Zn/(In+Ga+Zn)<0.7。
9.根据权利要求7或8所述的氧化物烧结体,其中,所述氧化铟、或所述1或2种以上的同系结构化合物中的In的一部份被正四价以上的金属元素固溶取代。
10.一种氧化物烧结体,其特征在于,除氧之外的全部原子的原子数为100原子%时,含有In(铟)24~49原子%,且具有稀土氧化物C型的结晶结构。
11.根据权利要求10所述的氧化物烧结体,其特征在于,除氧之外的全部原子的原子数为100原子%时,含有In(铟)24~49原子%、含有Ga(镓)10~49原子%、含有Zn(锌)5~65原子%,且具有稀土氧化物C型的结晶结构。
12.根据权利要求10或11所述的氧化物烧结体,其中,构成稀土氧化物C型的结晶结构的In的一部份被正四价以上的金属元素固溶取代。
13.根据权利要求10~12中任一项所述的氧化物烧结体,其特征在于,具有平均结晶粒径为20μm以下的稀土氧化物C型的结晶结构。
14.根据权利要求1~13中任一项所述的氧化物烧结体,其相对密度为80%以上。
15.根据权利要求1~13中任一项所述的氧化物烧结体,其相对密度为90%以上。
16.根据权利要求1~15中任一项所述的氧化物烧结体,其特征在于,体电阻在0.1~100mΩ·cm的范围内。
17.根据权利要求1~15中任一项所述的氧化物烧结体,其体电阻为1×10-2Ωcm以下。
18.根据权利要求1~17中任一项所述的氧化物烧结体,其特征在于,晶格常数
19.根据权利要求6、9、12~18中任一项所述的氧化物烧结体,其特征在于,除氧之外的全部原子的原子数为100原子%时,含有正四价以上的金属元素10~10000ppm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于出光兴产株式会社,未经出光兴产株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200980129196.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:DC-DC转换器的延迟补偿
- 下一篇:单组分聚脲型聚氨酯涂料及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类