[发明专利]沉积膜形成装置及沉积膜形成方法无效

专利信息
申请号: 200980128302.4 申请日: 2009-07-29
公开(公告)号: CN102099505A 公开(公告)日: 2011-06-15
发明(设计)人: 新乐浩一郎;伊藤宪和;稻叶真一郎;松居宏史 申请(专利权)人: 京瓷株式会社
主分类号: C23C16/50 分类号: C23C16/50;C23C16/455;H01L21/205;H01L31/04
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 朱丹
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种沉积膜形成装置及沉积膜形成方法。为了对例如Si系膜的高速且高品质的制膜,本发明一方式所涉及的沉积膜形成装置具有:腔室;位于腔室内的第一电极;第二电极,按照与第一电极隔开规定间隔的方式位于腔室内,并且具备供给第一原料气体且产生空心阴极放电的第一供给部、和供给分解速度比第一原料气体大的第二原料气体的第二供给部。
搜索关键词: 沉积 形成 装置 方法
【主权项】:
一种沉积膜形成装置,具有:腔室;第一电极,其位于所述腔室内;以及第二电极,其按照与所述第一电极隔开规定间隔的方式位于所述腔室内,并且具备供给第一原料气体且产生空心阴极放电的第一供给部、和供给分解速度比所述第一原料气体大的第二原料气体的第二供给部。
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