[发明专利]沉积膜形成装置及沉积膜形成方法无效
| 申请号: | 200980128302.4 | 申请日: | 2009-07-29 |
| 公开(公告)号: | CN102099505A | 公开(公告)日: | 2011-06-15 |
| 发明(设计)人: | 新乐浩一郎;伊藤宪和;稻叶真一郎;松居宏史 | 申请(专利权)人: | 京瓷株式会社 |
| 主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;C23C16/455;H01L21/205;H01L31/04 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 朱丹 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明提供一种沉积膜形成装置及沉积膜形成方法。为了对例如Si系膜的高速且高品质的制膜,本发明一方式所涉及的沉积膜形成装置具有:腔室;位于腔室内的第一电极;第二电极,按照与第一电极隔开规定间隔的方式位于腔室内,并且具备供给第一原料气体且产生空心阴极放电的第一供给部、和供给分解速度比第一原料气体大的第二原料气体的第二供给部。 | ||
| 搜索关键词: | 沉积 形成 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种沉积膜形成装置,具有:腔室;第一电极,其位于所述腔室内;以及第二电极,其按照与所述第一电极隔开规定间隔的方式位于所述腔室内,并且具备供给第一原料气体且产生空心阴极放电的第一供给部、和供给分解速度比所述第一原料气体大的第二原料气体的第二供给部。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





