[发明专利]沉积膜形成装置及沉积膜形成方法

权利要求书

1.一种沉积膜形成装置，具有：

腔室；

第一电极，其位于所述腔室内；以及

第二电极，其按照与所述第一电极隔开规定间隔的方式位于所述腔室内，并且具备供给第一原料气体且产生空心阴极放电的第一供给部、和供给分解速度比所述第一原料气体大的第二原料气体的第二供给部。

2.如权利要求1所述的沉积膜形成装置，其中，

所述第二供给部不产生空心阴极放电、或者空心阴极放电产生的程度比所述第一供给部的小。

3.如权利要求1或2所述的沉积膜形成装置，其中，

所述第一供给部具有：产生所述空心阴极放电的空心部。

4.如权利要求3所述的沉积膜形成装置，其中，

所述第一供给部的所述空心部，随着远离所述第一电极而截面积减小。

5.如权利要求1～4中任一项所述的沉积膜形成装置，其中，

所述第二电极具有多个所述第一供给部，

相邻的两个所述第一供给部彼此间的距离，比所述第二电极与基材的距离更短，该基材位于所述第一电极与所述第二电极之间。

6.如权利要求1～5中任一项所述的沉积膜形成装置，其中，

所述第一原料气体包含非Si系气体，所述第二原料气体包含Si系气体。

7.如权利要求6所述的沉积膜形成装置，其中，

所述非Si系气体包含氢气。

8.如权利要求7所述的沉积膜形成装置，其中，

所述非Si系气体还包含甲烷气体。

9.如权利要求1～8中任一项所述的沉积膜形成装置，其中，

在向所述第一供给部导入第一原料气体的导入路径中，具有加热催化剂体。

10.一种沉积膜形成方法，具有以下工序：

准备第一电极、与所述第一电极隔开规定间隔设置且具有第一供给部及第二供给部的第二电极、基材的工序；

在所述第一电极和所述第二电极之间配置所述基材的工序；

在位于所述第一供给部的内部的第一空间产生空心阴极放电的工序；

向所述第一空间供给第一原料气体的工序；

使所述第一原料气体在所述第一空间活化的工序；

将所活化的所述第一原料气体从所述第一空间向所述基材侧供给的工序；

在位于所述第一电极和所述第二电极之间的第二空间产生辉光放电的工序；

将分解速度比所述第一原料气体大的第二原料气体从所述第二供给部向所述基材侧供给的工序；

使所述第二原料气体在所述第二空间活化的工序。

11.如权利要求10所述的沉积膜形成方法，其中，

还具有：使所述第二原料气体和所活化的所述第一原料气体在所述第二空间混合的工序。

12.如权利要求10或11所述的沉积膜形成方法，其中，

仅从所述第二供给部供给所述第二原料气体。

13.如权利要求10～12中任一项所述的沉积膜形成方法，其中，

仅从所述第一供给部供给所述第一原料气体。

14.如权利要求10～13中任一项所述的沉积膜形成方法，其中，

还具有：使所述第一原料气体在所述第二空间活化的工序。

15.如权利要求10～14中任一项所述的沉积膜形成方法，其中，

还具有以下工序：

在向所述第一供给部导入所述第一原料气体的导入路径中准备加热催化剂体的工序；

对所述加热催化剂体进行加热的工序；

经由所述加热催化剂体使所述第一原料气体活化的工序。