[发明专利]使用注入和退火方法的太阳能电池-选择性发射极的形成

摘要

一种形成太阳能电池的方法，该方法包括：提供具有预先掺杂区域的半导体晶片；执行掺杂物至该半导体晶片中的第一离子注入，以在预先掺杂区域之上形成第一掺杂区域，其中第一离子注入具有浓度比对深度分布；以及执行掺杂物至该半导体晶片中的第二离子注入，以在预先掺杂区域之上形成第二掺杂区域，其中所述第二离子注入具有与第一离子注入的浓度比对深度分布不同的浓度比对深度分布，其中第一掺杂区域和第二掺杂区域中的至少一个区域被配置成在接收到光时生成电子-空穴对，并且其中第一离子注入和第二离子注入彼此独立地执行。

主权项

一种形成太阳能电池的方法，该方法包括：提供具有预先掺杂区域的半导体晶片；执行掺杂物至所述半导体晶片中的第一离子注入，以在所述预先掺杂区域之上形成第一掺杂区域，其中所述第一离子注入具有浓度比对深度分布；以及执行掺杂物至所述半导体晶片中的第二离子注入，以在所述预先掺杂区域之上形成第二掺杂区域，其中所述第二离子注入具有与所述第一离子注入的浓度比对深度分布不同的浓度比对深度分布，其中所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域中的至少一个区域被配置成在接收到光时生成电子‑空穴对，并且其中所述第一离子注入和第二离子注入彼此独立地执行。