[发明专利]使用注入和退火方法的太阳能电池-选择性发射极的形成

权利要求书

1.一种形成太阳能电池的方法，该方法包括：

提供具有预先掺杂区域的半导体晶片；

执行掺杂物至所述半导体晶片中的第一离子注入，以在所述预先掺杂区域之上形成第一掺杂区域，其中所述第一离子注入具有浓度比对深度分布；以及

执行掺杂物至所述半导体晶片中的第二离子注入，以在所述预先掺杂区域之上形成第二掺杂区域，其中所述第二离子注入具有与所述第一离子注入的浓度比对深度分布不同的浓度比对深度分布，

其中所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域中的至少一个区域被配置成在接收到光时生成电子-空穴对，并且

其中所述第一离子注入和第二离子注入彼此独立地执行。

2.根据权利要求1的方法，其中在所述预先掺杂区域与所述被配置成生成电子-空穴对的所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域中的至少一个区域之间形成p-n结。

3.根据权利要求1的方法，其中所述半导体晶片被提供作为硅衬底。

4.根据权利要求1的方法，其中通过所述第一离子注入形成的所述第一掺杂区域具有范围在大约80欧姆/平方至大约160欧姆/平方的薄层电阻。

5.根据权利要求1的方法，其中通过所述第二离子注入形成的所述第二掺杂区域具有范围在大约10欧姆/平方至大约40欧姆/平方的薄层电阻。

6.根据权利要求1的方法，其中：

通过第一离子注入形成的所述第一掺杂区域具有范围在大约80欧姆/平方至大约160欧姆/平方的薄层电阻，并且

通过所述第二离子注入形成的所述第二掺杂区域具有范围在大约10欧姆/平方至大约40欧姆/平方的薄层电阻。

7.根据权利要求1的方法，其还包括在所述半导体晶片的表面上安放金属接触线的步骤，其中所述金属接触线被配置成传导来自所述第一掺杂区域和第二掺杂区域中的至少一个区域的电荷。

8.根据权利要求1的方法，其中所述预先掺杂区域是p型掺杂的，并且所述第一掺杂区域和第二掺杂区域是n型掺杂的。

9.根据权利要求1的方法，其还包括在所述离子注入步骤中的至少一个步骤之后，对所述半导体晶片执行退火过程的步骤。

10.一种形成太阳能电池的方法，该方法包括：

提供具有预先掺杂区域的半导体晶片；

通过执行掺杂物至所述半导体晶片中的第一离子注入而在所述半导体晶片中所述预先掺杂区域之上形成均匀掺杂区域，其中在所述预先掺杂区域与所述均匀掺杂区域之间形成p-n结，并且所述均匀掺杂区域被配置成在接收到光时生成电子-空穴对；以及

通过执行掺杂物至所述半导体晶片中的第二离子注入而在所述半导体晶片中所述均匀掺杂区域之上形成多个选择性掺杂区域，

其中所述第一离子注入和第二离子注入彼此独立地执行，并且

其中所述选择性掺杂区域具有比所述均匀掺杂区域更高的掺杂物浓度。

11.根据权利要求10的方法，其中所述半导体晶片被提供作为硅衬底。

12.根据权利要求10的方法，其中通过所述第一离子注入形成的所述均匀掺杂区域具有范围在大约80欧姆/平方至大约160欧姆/平方的薄层电阻。

13.根据权利要求10的方法，其中通过所述第二离子注入形成的所述选择性掺杂区域中的每一个区域具有范围在大约10欧姆/平方至大约40欧姆/平方的薄层电阻。

14.根据权利要求10的方法，其中：

通过所述第一离子注入形成的所述均匀掺杂区域具有范围在大约80欧姆/平方至大约160欧姆/平方的薄层电阻，并且

通过所述第二离子注入形成的所述选择性掺杂区域中的每一个区域具有范围在大约10欧姆/平方至大约40欧姆/平方的薄层电阻。

15.根据权利要求10的方法，其还包括在所述半导体晶片的表面上安放金属接触线的步骤，其中所述金属接触线在所述多个选择性掺杂区域之上对齐，并且被配置成传导来自所述多个选择性掺杂区域的电荷。

16.根据权利要求15的方法，其还包括在靠近所述半导体晶片的所述表面之处形成金属种层的步骤，其中所述金属种层被配置成充当所述选择性掺杂区域与所述金属接触线之间的过渡层。

17.根据权利要求16的方法，其中所述金属种层包括硅化物。