[发明专利]具有用于栅极的贯通本体通路的纵型MOSFET有效
| 申请号： | 200980127258.5 | 申请日： | 2009-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN102099919A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | A·阿什拉夫扎德 | 申请（专利权）人： | 马克西姆综合产品公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 蔡胜利 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | MOSFET功率芯片包括第一和第二纵型MOSFET。第一纵型MOSFET包括半导体本体，所述半导体本体具有限定源极的第一表面以及限定漏极的第二表面；栅极结构，所述栅极结构形成于所述半导体本体内并且靠近所述第二表面。通路大致垂直于所述两个表面并且电耦合到所述第一表面和所述栅极结构。第二纵型MOSFET包括半导体本体，所述半导体本体具有限定源极的第一表面以及限定漏极的第二表面；以及栅极结构，所述栅极结构形成于所述半导体本体内并且靠近所述第一表面。所述第一纵型MOSFET的所述第一表面和所述第二纵型MOSFET的所述第二表面大致共面，导电罐大致围绕所述纵型MOSFET并且将所述第一纵型MOSFET的所述第一表面短接到所述第二纵型MOSFET的所述第二表面。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 用于 栅极 贯通 本体 通路 mosfet | ||
【主权项】：
一种纵型MOSFET，包括：半导体本体，所述半导体本体具有限定源极的大致平面第一表面以及限定漏极的大致平面第二表面，所述第一表面和所述第二表面彼此大致平行但不共面；栅极，所述栅极形成于所述半导体本体内并且靠近所述第二表面；和通路，所述通路形成于半导体本体内至少部分地位于所述第一表面与所述第二表面之间并且耦合到所述栅极。
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