[发明专利]具有用于栅极的贯通本体通路的纵型MOSFET

权利要求书

1.一种纵型MOSFET，包括：

半导体本体，所述半导体本体具有限定源极的大致平面第一表面以及限定漏极的大致平面第二表面，所述第一表面和所述第二表面彼此大致平行但不共面；

栅极，所述栅极形成于所述半导体本体内并且靠近所述第二表面；和

通路，所述通路形成于半导体本体内至少部分地位于所述第一表面与所述第二表面之间并且耦合到所述栅极。

2.根据权利要求1所述的纵型MOSFET，其特征在于，所述本体包括硅。

3.根据权利要求2所述的纵型MOSFET，其特征在于，所述硅包括硅晶圆的至少一部分。

4.根据权利要求1所述的纵型MOSFET，其特征在于，所述纵型MOSFET包括多个MOSFET单元，所述MOSFET单元包括源极、漏极和栅极，所述源极、漏极和栅极分别电连接到所述纵型MOSFET的所述源极、漏极和栅极。

5.根据权利要求1所述的纵型MOSFET，其特征在于，所述栅极包括导电材料。

6.根据权利要求5所述的纵型MOSFET，其特征在于，所述栅极还包括绝缘层，所述绝缘层将所述栅极的所述导电材料与所述本体电隔离。

7.根据权利要求6所述的纵型MOSFET，其特征在于，所述通路包括导电材料，所述导电材料电连接到所述栅极的所述导电材料。

8.根据权利要求7所述的纵型MOSFET，其特征在于，所述通路还包括绝缘层，所述绝缘层将所述通路的所述导电材料与所述本体电隔离。

9.一种MOSFET功率芯片，包括：

第一纵型MOSFET，所述第一纵型MOSFET包括半导体本体，所述半导体本体具有限定源极的第一表面以及限定漏极的第二表面；栅极结构，所述栅极结构形成于所述半导体本体内并且靠近所述第二表面；以及通路，所述通路位于半导体本体内并且大致垂直于所述第一表面和所述第二表面，所述通路具有电耦合到所述第一表面的第一端和电耦合到所述栅极结构的第二端；

第二纵型MOSFET，所述第二纵型MOSFET包括半导体本体，所述半导体本体具有限定源极的第一表面以及限定漏极的第二表面；以及栅极结构，所述栅极结构形成于所述半导体本体内并且靠近所述第一表面；所述第一纵型MOSFET的所述第一表面和所述第二纵型MOSFET的所述第二表面大致共面；和

导电材料，所述导电材料将所述第一纵型MOSFET的所述第一表面耦合到所述第二纵型MOSFET的所述第二表面。

10.根据权利要求7所述的MOSFET功率芯片，其特征在于，所述第一纵型MOSFET的所述本体以及所述第二纵型MOSFET的所述本体包括硅。

11.根据权利要求7所述的MOSFET功率芯片，还包括导电板，所述导电板将所述第一纵型MOSFET的所述漏极耦合到所述第二纵型MOSFET的所述漏极。

12.根据权利要求9所述的MOSFET功率芯片，还包括耦合到所述第一纵型MOSFET的所述栅极和漏极的导线以及耦合到所述第二纵型MOSFET的所述栅极和源极的导线。

13.根据权利要求10所述的MOSFET功率芯片，其特征在于，所述第一纵型MOSFET和所述第二纵型MOSFET设置在封装件内。

14.根据权利要求11所述的MOSFET功率芯片，其特征在于，所述封装件包括塑料、陶瓷和金属的至少一种。