[发明专利]纳米结构存储器件

摘要

本发明提供一种纳米结构存储器件，其包括形成电流输送沟道的至少一半导体纳米线(3)，设置在该纳米线(3)的至少一部分周围的一个或多个壳层(4)，和嵌入到所述一个或多个壳层(4)的纳米尺寸电荷俘获中心(10)，以及至少设置在所述一个或多个壳层(4)的相应部分的一个或多个栅电极(14)。优选地，所述一个或多个壳层(4)由宽带隙材料或绝缘体制成。通过使用所述一个或多个栅电极(14)，该电荷俘获中心(10)可被充电/写入，并且存储在电荷俘获中心(10)的一个或多个中的电荷量的变化改变纳米线(3)的导电性。

主权项

一种纳米结构存储器件，其特征在于：形成电流输送沟道的至少一半导体纳米线(3)；设置在该纳米线(3)的至少一部分的周围的一个或多个壳层(4)；嵌入到所述一个或多个壳层(4)的纳米尺寸电荷俘获中心(10)，其中存储在该电荷俘获中心(10)的一个或多个中的电荷量的变化改变该纳米线(3)的导电性；以及至少第一栅电极(14)，设置在所述一个或多个壳层(4)的至少一部分的周围以便控制存储在所述栅电极(14)之下的所述电荷俘获中心(10)内的电荷量。