[发明专利]用于原子层沉积的设备有效
申请号: | 200980126061.X | 申请日: | 2009-07-02 |
公开(公告)号: | CN102084461A | 公开(公告)日: | 2011-06-01 |
发明(设计)人: | 哈曼·拉姆;博·郑;爱·华;迈克尔·杰克逊;小雄·袁;侯·功·王;萨尔瓦多·P·安摩托伊;萨恩·河·裕 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 王安武 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的实施例提供了用于例如等离子体增强ALD(PE-ALD)的原子层沉积(ALD)的设备。在一个实施例中,提供了莲喷头组件,其包括莲喷头板,该莲喷头板具有上表面、下表面、从莲喷头板的中心向外边缘延伸的半径,与上表面和下表面流体相通的第一多个孔和与上表面和下表面流体相通的第二多个孔,第一多个孔位于第一区域内,第一区域从莲喷头板的中心延伸到莲喷头板的半径的约25%,并且每个孔具有小于0.1英寸的直径,第二多个孔位于第二区域内,第二区域从莲喷头板的半径的约25%延伸到大约莲喷头板的外边缘,并且每个孔具有大于0.1英寸的直径。 | ||
搜索关键词: | 用于 原子 沉积 设备 | ||
【主权项】:
一种用于气相沉积过程的莲喷头组件,包括:莲喷头板,其具有上表面、下表面和从所述莲喷头板的中心向外边缘延伸的半径;第一多个孔,与所述上表面和所述下表面流体相通,所述第一多个孔位于第一区域内,所述第一区域从所述莲喷头板的中心延伸到所述莲喷头板的半径的约25%,并且每个孔具有小于0.1英寸的直径;以及第二多个孔,与所述上表面和所述下表面流体相通,所述第二多个孔位于第二区域内,所述第二区域从所述莲喷头板的半径的约25%延伸到大约所述莲喷头板的外边缘,并且每个孔具有大于0.1英寸的直径。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造