[发明专利]用于原子层沉积的设备

权利要求书

1.一种用于气相沉积过程的莲喷头组件，包括：

莲喷头板，其具有上表面、下表面和从所述莲喷头板的中心向外边缘延伸的半径；

第一多个孔，与所述上表面和所述下表面流体相通，所述第一多个孔位于第一区域内，所述第一区域从所述莲喷头板的中心延伸到所述莲喷头板的半径的约25％，并且每个孔具有小于0.1英寸的直径；以及

第二多个孔，与所述上表面和所述下表面流体相通，所述第二多个孔位于第二区域内，所述第二区域从所述莲喷头板的半径的约25％延伸到大约所述莲喷头板的外边缘，并且每个孔具有大于0.1英寸的直径。

2.根据权利要求1所述的莲喷头组件，其中，所述第一多个孔的直径约0.09英寸或更小。

3.根据权利要求2所述的莲喷头组件，其中，所述第二多个孔的直径约0.11英寸或更大。

4.根据权利要求1所述的莲喷头组件，其中，所述莲喷头板具有朝向外边缘径向延伸的增大的孔密度。

5.根据权利要求1所述的莲喷头组件，其中，所述莲喷头板包括由以下材料构成的组中选取的材料：铝、铝合金、电镀铝金属、不锈钢、镍、镍合金、镀镍铝、镀镍金属、铬、铁、及其合金、衍生物或化合物。

6.根据权利要求5所述的莲喷头组件，其中，所述莲喷头板包括铝或铝合金。

7.根据权利要求6所述的莲喷头组件，其中，所述莲喷头板包括铝合金，并且铝合金还包括镁和硅。

8.根据权利要求1所述的莲喷头组件，其中，所述莲喷头板包括由以下材料构成的组中选取的材料：石英、陶瓷、熔凝石英、蓝宝石、热解亚硝酸硼(PBN)材料、玻璃、硅酸盐材料、硅土材料、氧化铝材料、氧化锆材料、及其合金、衍生物或化合物。

9.根据权利要求8所述的莲喷头组件，其中，所述莲喷头板包括石英。

10.一种入口管道组件，包括：

环形通道，其包围中心通道，其中，所述中心通道延伸通过所述入口管道组件；以及

注入孔，从所述环形通道延伸通过所述中心通道的侧壁并延伸到所述中心通道，其中，所述注入孔包括第一多个注入孔，所述第一多个注入孔朝向或基本上朝向所述中心通道的中心轴延伸，并且所述注入孔包括第二多个注入孔，所述第二多个注入孔相切地朝向或基本上相切地朝向所述中心通道的侧壁延伸。

11.根据权利要求10所述的入口管道组件，其中，所述第一多个注入孔包括三个或更多的注入孔，并且所述第二多个注入孔包括三个或更多的注入孔。

12.根据权利要求10所述的入口管道组件，其中，所述入口管道组件包括铝或铝合金。

13.根据权利要求12所述的入口管道组件，其中，所述入口管道组件包括铝合金，并且铝合金还包括镁和硅。

14.根据权利要求10所述的入口管道组件，其中，每个注入孔具有从约0.06英寸至约0.12英寸的范围内的直径。

15.一种用于等离子体增强原子层沉积过程的室，包括：

基底支撑，包含接收基底的表面，并且被置于室体内；

室盖组件，与室体连接并且包括：

入口管道组件，包括：环形通道，其包围中心通道，其中，所述中心通道延伸通过所述入口管道组件，所述入口管道组件还包括：注入孔，从所述环形通道延伸通过所述中心通道的侧壁并延伸到所述中心通道；

莲喷头组件，包括：莲喷头板，其设置在所述入口管道组件下方；

水箱，其设置在所述入口管道组件和所述莲喷头组件之间；以及

远程等离子体系统，其设置在所述入口管道组件上方并与之连接，并且与所述中心通道流体相通；以及

处理区域，设置在所述接收基底的表面和所述莲喷头板的下表面之间。