[发明专利]波长转换发光二极管芯片和具有该芯片的发光二极管装置有效
| 申请号： | 200980126051.6 | 申请日： | 2009-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN102106009A | 公开（公告）日： | 2011-06-22 |
| 发明（设计）人： | 金龙泰;李东烈 | 申请（专利权）人： | 三星LED株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;李娜娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种波长转换发光二极管(LED)芯片。所述波长转换LED芯片包括LED芯片和波长转换层。所述LED芯片发射预定波长区域内的光。所述波长转换层由含有至少一种磷光体的树脂形成，所述至少一种磷光体将从所述LED芯片发射的光的一部分转换为不同波长区域内的光。所述波长转换层形成在所述LED芯片的上表面上，并具有凸弯月面形上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 波长 转换 发光二极管 芯片 具有 装置 | ||
【主权项】：
一种波长转换发光二极管芯片，所述波长转换发光二极管芯片包括：发光二极管芯片，用于发射预定波长区域内的光；波长转换层，由含有至少一种磷光体的树脂形成，所述至少一种磷光体将从所述发光二极管芯片发射的光的一部分转换为不同波长区域内的光，所述波长转换层形成在所述发光二极管芯片的上表面上，并具有凸弯月面形上表面。
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