[发明专利]波长转换发光二极管芯片和具有该芯片的发光二极管装置有效
申请号: | 200980126051.6 | 申请日: | 2009-07-03 |
公开(公告)号: | CN102106009A | 公开(公告)日: | 2011-06-22 |
发明(设计)人: | 金龙泰;李东烈 | 申请(专利权)人: | 三星LED株式会社 |
主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星;李娜娜 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 波长 转换 发光二极管 芯片 具有 装置 | ||
1.一种波长转换发光二极管芯片,所述波长转换发光二极管芯片包括:
发光二极管芯片,用于发射预定波长区域内的光;
波长转换层,由含有至少一种磷光体的树脂形成,所述至少一种磷光体将从所述发光二极管芯片发射的光的一部分转换为不同波长区域内的光,所述波长转换层形成在所述发光二极管芯片的上表面上,并具有凸弯月面形上表面。
2.根据权利要求1所述的波长转换发光二极管芯片,其中,所述波长转换层的边缘由所述发光二极管芯片的上边缘限定。
3.根据权利要求1或2所述的波长转换发光二极管芯片,其中,含有磷光体的树脂具有疏水性和亲水性中的一种,所述发光二极管芯片的上表面包括具有与所述树脂的特性相同的特性的表面。
4.根据权利要求3所述的波长转换发光二极管芯片,所述波长转换发光二极管芯片还包括表面改性层,所述表面改性层形成在所述发光二极管芯片的上表面上,并具有与所述树脂的特性相同的特性。
5.根据权利要求4所述的波长转换发光二极管芯片,其中,所述表面改性层被提供为用于所述发光二极管芯片的钝化层。
6.根据权利要求1或2所述的波长转换发光二极管芯片,其中,多个不平坦部分形成在所述发光二极管芯片的上表面中。
7.根据权利要求1或2所述的波长转换发光二极管芯片,其中,所述波长转换层还含有用于控制含有磷光体的树脂的粘度和触变性中的一者的添加剂。
8.根据权利要求1或2所述的波长转换发光二极管芯片,其中,所述树脂包括从由硅类树脂、环氧类树脂、丙烯酰类树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂、它们的混合物和它们的化合物组成的组中选择的一种。
9.根据权利要求1或2所述的波长转换发光二极管芯片,其中,所述预定波长区域包括从由紫外线、蓝色和绿色的波长区域、蓝色和绿色的波长区域、紫外线和蓝色的波长区域、紫外线的波长区域、蓝色的波长区域以及绿色的波长区域组成的组中选择的波长区域。
10.根据权利要求1或2所述的波长转换发光二极管芯片,其中,所述至少一种磷光体包括用于将所述预定波长区域内的光转换为不同波长区域内的光的各种磷光体。
11.根据权利要求10所述的波长转换发光二极管芯片,其中,所述波长转换层包括分别含有不同磷光体的至少两个树脂层。
12.根据权利要求11所述的波长转换发光二极管芯片,其中,所述至少两个树脂层包括含有第一磷光体的第一树脂层和含有至少一种第二磷光体的第二树脂层,
所述第一树脂层包括位于所述发光二极管芯片的上表面上的内部区域中的第一凸弯月面形上表面,所述第二树脂层形成在所述第一树脂层上,并包括第二凸弯月面形上表面,所述第二树脂层的边界由所述发光二极管芯片的上表面的边缘限定。
13.根据权利要求12所述的波长转换发光二极管芯片,其中,由所述第一磷光体转换的光的波长比由所述第二磷光体转换的光的波长短。
14.根据权利要求13所述的波长转换发光二极管芯片,其中,从所述发光二极管芯片发射的光的峰值波长在大约380nm至500nm的范围内,所述第一磷光体包括用于将光转换为绿光的绿色磷光体,所述第二磷光体包括用于将光转换为红光的红色磷光体。
15.根据权利要求14所述的波长转换发光二极管芯片,其中,所述第一磷光体包括在所述树脂中重量%为大约20%至80%的绿色磷光体,所述第二磷光体包括在所述树脂中重量%为大约5%至30%的红色磷光体。
16.根据权利要求13所述的波长转换发光二极管芯片,其中,从所述发光二极管芯片发射的光的峰值波长在大约380nm至500nm的范围内,所述第一磷光体包括用于将光转换为绿光的绿色磷光体,所述第二磷光体包括用于将光转换为红光的红色磷光体和用于将光转换为黄光的黄色磷光体。
17.根据权利要求16所述的波长转换发光二极管芯片,其中,所述第一磷光体包括在所述树脂中重量%为大约5%至60%的绿色磷光体,所述第二磷光体包括在所述树脂中重量%为大约2%至25%的红色磷光体和重量%为大约15%至80%的黄色磷光体。
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