[发明专利]用于去除光刻设备的无盖层的多层反射镜上的沉积物的方法、光刻设备以及器件制造方法无效
| 申请号： | 200980125562.6 | 申请日： | 2009-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN102077142A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | V·班尼恩;M·杰克;W·索尔;M·凡赫彭 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于去除在设备的无盖层多层反射镜上的沉积物的方法。所述方法包括：在所述设备的至少一部分内提供气体的步骤，所述气体包括H2、D2和HD中的一种或多种以及选自碳氢化合物和/或硅烷化合物的一种或多种附加的化合物；从所述气体产生氢和/或氘自由基和所述一种或多种附加的化合物的自由基的步骤；和使得具有沉积物的所述无盖层多层反射镜与氢和/或氘自由基和所述一种或多种附加的化合物的自由基中的至少一部分接触，以便去除沉积物的至少一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 去除 光刻 设备 盖层 多层 反射 沉积物 方法 以及 器件 制造 | ||
【主权项】：
一种用于去除在设备的无盖层多层反射镜上的沉积物的方法，包括步骤：在所述设备的至少一部分内提供气体，所述气体包括H2、D2和HD中的一种或多种以及选自碳氢化合物和/或硅烷化合物中的一种或多种附加的化合物；从所述气体产生氢和/或氘自由基以及所述一种或多种附加的化合物的自由基；和使得具有沉积物的所述无盖层多层反射镜与氢和/或氘自由基以及所述一种或多种附加的化合物的自由基中的至少一部分接触，以便去除沉积物的至少一部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASML荷兰有限公司，未经ASML荷兰有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980125562.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
