[发明专利]用于去除光刻设备的无盖层的多层反射镜上的沉积物的方法、光刻设备以及器件制造方法

权利要求书

1.一种用于去除在设备的无盖层多层反射镜上的沉积物的方法，包括步骤：

在所述设备的至少一部分内提供气体，所述气体包括H₂、D₂和HD中的一种或多种以及选自碳氢化合物和/或硅烷化合物中的一种或多种附加的化合物；

从所述气体产生氢和/或氘自由基以及所述一种或多种附加的化合物的自由基；和

使得具有沉积物的所述无盖层多层反射镜与氢和/或氘自由基以及所述一种或多种附加的化合物的自由基中的至少一部分接触，以便去除沉积物的至少一部分。

2.如权利要求1所述的方法，其中

所述提供气体的步骤包括：提供包括H₂以及选自碳氢化合物和/或硅烷化合物的一种或多种附加的化合物的气体；

所述产生基团的步骤包括：产生氢自由基和所述一种或多种附加的化合物的自由基；和

所述接触步骤包括：使得无盖层多层与氢自由基和所述一种或多种附加的化合物的自由基中的至少一部分接触。

3.如权利要求1所述的方法，其中，来自所述一种或多种附加的化合物的自由基是碳氢化合物自由基。

4.如权利要求1所述的方法，其中，所述自由基通过热丝、射频放电或离解或光致离解产生。

5.如权利要求1所述的方法，其中，所述使得具有沉积物的无盖层多层反射镜与氢和/或氘自由基和所述一种或多种附加的化合物的自由基中的至少一部分接触的步骤包括使得所述无盖层多层反射镜的重复单元的至少一层与氢和/或氘自由基和所述一种或多种附加的化合物的自由基中的至少一部分接触。

6.如权利要求1所述的方法，其中，所述无盖层多层反射镜是无盖层Mo/Si多层反射镜。

7.如权利要求1所述的方法，其中，所述沉积物的至少一部分被非原位地从所述设备去除。

8.如权利要求1所述的方法，其中，所述碳氢化合物包括C₁-C₂₅化合物。

9.如权利要求1所述的方法，其中，所述碳氢化合物和硅烷化合物包含一个或多个氘原子。

10.一种器件制造方法，包括步骤：

使用辐射系统调节辐射束，所述辐射系统包括至少一个无盖层多层反射镜；

用想要的图案来图案化辐射束以形成图案化的辐射束；

将图案化的辐射束投影到衬底上；和

在调节期间或之后，去除所述至少一个无盖层多层反射镜上的包括锡的沉积物，所述去除包括下列步骤：

提供包括H₂、D₂和HD中的一种或多种以及选自碳氢化合物和/或硅烷化合物的一种或多种附加的化合物的气体；

从所述气体产生氢和/或氘自由基以及所述一种或多种附加的化合物的自由基；和

使得具有沉积物的无盖层多层反射镜与氢和/或氘自由基和所述一种或多种附加的化合物的自由基中的至少一部分接触，以去除沉积物的至少一部分。

11.根据权利要求10的方法，其中

所述提供气体的步骤包括：提供包括H₂和选自碳氢化合物和/或硅烷化合物的一种或多种附加的化合物的气体；

所述产生基团的步骤包括：产生氢自由基以及所述一种或多种附加的化合物的自由基；和

所述接触步骤包括：使得无盖层多层反射镜与氢自由基以及所述一种或多种附加的化合物的自由基中的至少一部分接触。

12.一种光刻设备，包括：

无盖层多层反射镜；和

清洁设备，配置成去除所述无盖层多层反射镜上的包括锡的沉积物，所述清洁设备配置成

在所述光刻设备的至少一部分内提供包括H₂、D₂和HD中的一种或多种以及选自碳氢化合物和/或硅烷化合物的一种或多种附加的化合物的气体；

从所述气体产生氢和/或氘自由基以及所述一种或多种附加的化合物的自由基；和

将氢和/或氘自由基以及所述一种或多种附加的化合物的自由基供给至所述无盖层多层反射镜，以去除所述沉积物的至少一部分。