[发明专利]用来制备光学预成形件的方法有效
| 申请号： | 200980124803.5 | 申请日： | 2009-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN102076623A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | D·C·布克班德;N·勒布隆;J·E·杨 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | C03B37/014 | 分类号： | C03B37/014;C03B37/018;C03C15/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 沙永生;周承泽 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造光学预成形件的方法，其包括以下步骤：a)在足够的温度和气体浓度下，使用包含含氟的蚀刻剂气体的气体对光学预成形件进行蚀刻，除去一部分沉积在所述预成形件上的氧化物材料，在剩余的氧化物材料中形成再沉积的含锗化合物污染物，例如GeOx；以及b)在足够的温度和气体浓度下，使用包含至少一种卤素气体的清洁气体对蚀刻过的预成形件进行清洁，以除去所述再沉积的含锗化合物污染物，同时不会对剩余的沉积的氧化物材料造成任何显著的进一步的污染。较佳的是，所述卤素是氯或溴。 | ||
| 搜索关键词： | 用来 制备 光学 成形 方法 | ||
【主权项】：
一种制造光学预成形件的方法，所述方法包括以下步骤：a)在足够的温度和气体浓度下，使用包含含氟的蚀刻剂气体的气体对包含Ge的光学预成形件进行蚀刻，以除去沉积在预成形件上的一部分氧化物材料，从而在剩余的氧化物材料上形成再沉积的Ge化合物污染物；b)在足够的温度和气体浓度下，使用包含至少一种卤素气体的清洁气体对蚀刻过的预成形件进行清洁，以除去再沉积的Ge化合物污染物，同时不会对剩余的沉积的氧化物材料造成任何显著的进一步污染，其中所述卤素是氯或溴，不含氟。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于康宁股份有限公司，未经康宁股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980124803.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
