[发明专利]用来制备光学预成形件的方法

权利要求书

1.一种制造光学预成形件的方法，所述方法包括以下步骤：

a)在足够的温度和气体浓度下，使用包含含氟的蚀刻剂气体的气体对包含Ge的光学预成形件进行蚀刻，以除去沉积在预成形件上的一部分氧化物材料，从而在剩余的氧化物材料上形成再沉积的Ge化合物污染物；

b)在足够的温度和气体浓度下，使用包含至少一种卤素气体的清洁气体对蚀刻过的预成形件进行清洁，以除去再沉积的Ge化合物污染物，同时不会对剩余的沉积的氧化物材料造成任何显著的进一步污染，其中所述卤素是氯或溴，不含氟。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，蚀刻剂气体选自下组：CF₄，SF₆，NF₃，C₂F₆，C₄F₈，CHF₃，C₂F₆，以及它们的组合。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含卤素的清洁气体是选自下组的至少一种气体：Br₂；Cl₂；CH₃Cl；CH₂Cl₂；CHCl₃；CCl₄；COCl₂；和/或饱和的、不饱和的、环状的或芳族的卤代烃，C_xH_y卤素_z，其中卤素是Cl或Br，x≥1，y≥0和0，且z＞1。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述蚀刻剂气体包含SF₆，清洁气体包括以下的至少一种：CO和Cl₂。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述蚀刻剂气体包含SF₆，清洁气体包括卤素气体Cl₂。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述清洁气体还包含至少一种氧清除气体。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述再沉积的Ge化合物污染物是一层GeO_xF_y或GeO_x，所述氧清除气体是CO，卤素气体是Cl₂。

8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述光学预成形件在蚀刻之前部分塌缩，所述预成形件具有内表面和外表面，所述再沉积的Ge化合物污染物在内表面上。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述预成形件在蚀刻之前部分塌缩，所述内表面的内径约小于10毫米。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述内径不大于5毫米。

11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，蚀刻步骤过程中的温度约低于1700℃。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，蚀刻步骤过程中的温度约低于1400℃至1600℃。

13.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述清洁步骤的温度为800-1600℃。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述清洁步骤的时间长度为1-120分钟。

15.一种制造光纤预成形件的方法，其包括以下步骤：

a)在足够的温度和气体浓度下，使用包含含氟的蚀刻剂气体的气体对光纤预成形件进行蚀刻，以除去沉积在预成形件上的一部分氧化物材料，从而在剩余的氧化物材料上形成含锗化合物污染层；

b)使用包含至少一种氧清除气体和至少一种卤素气体的清洁气体清洁所述蚀刻过的预成形件，同时不会对剩余的沉积的氧化物材料造成任何显著的进一步污染。

16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述第一蚀刻剂气体的流速约大于65sccm，清洁气体的流速至少为25标准立方厘米/分钟。