[发明专利]以NAND为基础的NMOS NOR闪存单元,以NAND为基础的NMOS NOR闪存阵列及该单元和该阵列的形成方法

摘要

一种NOR非挥发性闪存组件具有NAND非挥发性闪存组件的存储单元尺寸小且低电流编程过程以及NOR非挥发性闪存组件的快速，异步随机存取。该NOR非挥发性闪存组件包括一由NOR非挥发性闪存电路组成的阵列。每个NOR闪存电路包括多个电荷保存晶体管串连成一NAND串。其中最上端的电荷保存晶体管的漏极连接到与串连的电荷保存晶体管相关的位线，最下端的电荷保存晶体管的源极连接到与该电荷保存晶体管相关的源极线。每一列上的每个电荷保存晶体管的控制栅一起连接到一字符线。所述电荷保存晶体管的编程和擦除操作依照一福勒-诺德海姆(Fowler-Nordheim)隧穿过程处理。

主权项

一种NOR非挥发性闪存电路，包括：多个电荷保存晶体管串连成一NAND串，其特征在于：一最上端的电荷保存晶体管，其漏极连接到与所述串连的多个电荷保存晶体管有关的一位线；一最下端的电荷保存晶体管，其源极连接到与所述串连的多个电荷保存晶体管有关的一源极线；以及所述多个电荷保存晶体管的每一控制栅均连接到一字符线。