[发明专利]以NAND为基础的NMOS NOR闪存单元,以NAND为基础的NMOS NOR闪存阵列及该单元和该阵列的形成方法

权利要求书

1.一种NOR非挥发性闪存电路，包括：

多个电荷保存晶体管串连成一NAND串，其特征在于：

一最上端的电荷保存晶体管，其漏极连接到与所述串连的多个电荷保存晶体管有关的一位线；

一最下端的电荷保存晶体管，其源极连接到与所述串连的多个电荷保存晶体管有关的一源极线；以及

所述多个电荷保存晶体管的每一控制栅均连接到一字符线。

2.如权利要求1所述的NOR非挥发性闪存电路，其特征在于，所述多个电荷保存晶体管形成于一第一类导电型的井内。

3.如权利要求2所述的NOR非挥发性闪存电路，其特征在于，该第一类导电型的井形成于一第二类导电型的深井内。

4.如权利要求3所述的NOR非挥发性闪存电路，其特征在于，该第二类导电型的深井形成于一第一类导电型的基板中。

5.如权利要求1所述的NOR非挥发性闪存电路，其特征在于，所述电荷保存晶体管采用福勒-诺德海姆(Fowler-Nordheim)穿隧效应进行编程操作和擦除操作。

6.如权利要求1所述的NOR非挥发性闪存电路，其特征在于，通过在一被选择的电荷保存晶体管的控制栅和体内区域之间以逐渐增加的方式施加一+15.0V到+20.0V的编程电压，以将所述多个电荷保存晶体管中的一个被选择的电荷保存晶体管编程为单层编程单元。

7.如权利要求6所述的NOR非挥发性闪存电路，其特征在于，通过在所述多个电荷保存晶体管中其它未被选择的电荷保存晶体管的控制栅和体内区域之间施加一小于10.0V的电压，以抑制所述未被选择的电荷保存晶体管。

8.如权利要求1所述的NOR非挥发性闪存电路，其特征在于，该NOR闪存电路的布局要求该NOR闪存电路的大小是制造NOR闪存电路的技术的最小的特性尺寸的四倍到六倍。

9.如权利要求1所述的NOR非挥发性闪存电路，其特征在于，通过在被选择的电荷保存晶体管的体内区域和控制栅之间施加一+15.0v到+20.0V的正极擦除电压，以对该被选择的电荷保存晶体管进行擦除操作。

10.如权利要求1所述的NOR非挥发性闪存电路，其特征在于，通过在所述多个电荷保存晶体管中其它未被选择的电荷保存晶体管的控制栅和体内区域之间施加一0.0V的偏压，以抑制所述未被选择的电荷保存晶体管。

11.如权利要求1所述的NOR非挥发性闪存电路，其特征在于，被编程为一单层编程单元的所述多个电荷保存晶体管中所选择的电荷保存晶体管通过以下步骤被读取：

连接源极线到一电压跟随感应电路；

设定该NOR闪存电路内被选择的电荷保存晶体管的漏极和栅极的电压为电压源的电压；

所述多个电荷保存晶体管中未被选择的电荷保存晶体管的栅极的电压被设定为一第一高读取电压；以及

比较该电压跟随感应电路中在源极线产生的电压与参考电压源，该参考电压源被设定到2.0V，以区分一在第一逻辑值的临界电压和一在第二逻辑值的临界电压。

12.如权利要求11所述的NOR非挥发性闪存电路，其特征在于，该第一高读取电压大于6.0V。

13.如权利要求11所述的NOR非挥发性闪存电路，其特征在于，该参考电压源为2.0V。

14.如权利要求11所述的NOR非挥发性闪存电路，其特征在于，若NOR非挥发性闪存电路未被选择读取操作，而当另一NOR非挥发性闪存电路被选择读取操作时，未被选择的该NOR闪存电路中的所述多个电荷保存晶体管中未被选择的该电荷保存晶体管的控制栅的电压被设定为接地参考电压，以关闭该电荷保存晶体管。

15.如权利要求1所述的NOR非挥发性闪存电路，其特征在于，被编程为一多层编程单元的所述多个电荷保存晶体管中所选择的电荷保存晶体管通过以下步骤被读取：

连接源极线到一电压跟随感应电路；

设定该被选择的电荷保存晶体管的漏极和栅极的电压为一中间的高电压；

将所述多个电荷保存晶体管之内所有未被选择的电荷保存晶体管的栅极的电压设定为一第二高读取电压；以及

比较该电压跟随感应电路中在源极线产生的电压和多个参考电压源，以决定一临界电压值用于代表储存于电荷保存晶体管内的数据。