[发明专利]多段型衬底的制造方法无效
| 申请号： | 200980122655.3 | 申请日： | 2009-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN102067289A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 田中爱;吉良敦史;不破耕 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;B81C1/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 贾成功 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种多段型衬底，在衬底的主面上，重叠形成各自包含不同种类材料、且各自的剥离方法不同的多个掩膜，映射多个掩膜的各自的形状依次进行使用等离子体的干蚀刻，由此进行台阶高差加工，获得具有多个台阶高差的多段型衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 多段型 衬底 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种多段型衬底的制造方法，其为通过使用等离子体的干蚀刻对衬底进行加工来制造具有多个台阶高差的多段型衬底的方法，其特征在于，在该衬底的主面上重叠形成各自由不同种类材料形成的、且各自的剥离手段不同的多个掩膜，映射该多个掩膜的各自的形状而依次进行干蚀刻，由此进行台阶高差加工，制造具有多个台阶高差的多段型衬底。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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