[发明专利]多段型衬底的制造方法

权利要求书

1.一种多段型衬底的制造方法，其为通过使用等离子体的干蚀刻对衬底进行加工来制造具有多个台阶高差的多段型衬底的方法，其特征在于，在该衬底的主面上重叠形成各自由不同种类材料形成的、且各自的剥离手段不同的多个掩膜，映射该多个掩膜的各自的形状而依次进行干蚀刻，由此进行台阶高差加工，制造具有多个台阶高差的多段型衬底。

2.如权利要求1所述的多段型衬底的制造方法，其特征在于，所述多个掩膜各自用以下材料构成：(1)选自酚醛树脂、环氧树脂、丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚酰亚胺及聚脲中的非感光性的有机高分子材料；(2)以选自酚醛树脂、环氧树脂、丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚酰亚胺及聚脲中的有机高分子材料为主要成分的具有感光性的光致抗蚀剂；(3)选自金属、这些金属的至少2种的合金、以及这些金属的氧化物及氮化物中的材料，所述金属选自Cr、Ti、Pt、Au、Ag、Al、Ni、Cu、Fe、Zr及Ta；或(4)选自半导体膜材料、所述半导体膜材料的氧化物及氮化物、所述半导体膜材料与钨或钼的合金、以及SiON中的材料。

3.如权利要求1所述的多段型衬底的制造方法，其特征在于，所述掩膜之一由树脂形成。

4.如权利要求1或3所述的多段型衬底的制造方法，其特征在于，所述掩膜之一为铬膜或铝膜。

5.如权利要求1～4中的任一项所述的多段型衬底的制造方法，其特征在于，所述衬底具有由硅形成的表面，所述掩膜之一由氧化硅膜或氮化硅膜形成。

6.如权利要求5所述的多段型衬底的制造方法，其特征在于，作为所述掩膜之一使用的氧化硅膜或氮化硅膜通过蒸镀法、物理气相沉积法、化学气相沉积法或旋涂法形成。

7.如权利要求1～4中的任一项所述的多段型衬底的制造方法，其特征在于，所述衬底具有由氧化硅、氮化硅或SiON形成的表面，所述掩膜之一由硅膜形成。

8.一种多段型衬底的制造方法，其为通过使用等离子体的干蚀刻对表面由硅形成的衬底进行加工来制造具有多个台阶高差的多段型衬底的方法，其特征在于，在该衬底的主面上重叠形成各自由不同种类材料形成的、各自的剥离手段不同的多个掩膜，该多个掩膜之一由通过、蒸镀法、物理气相沉积法、化学气相沉积法或旋涂法形成的氧化硅膜或氮化硅膜形成，映射该多个掩膜的各自的形状而依次进行干蚀刻，由此进行台阶高差加工，制造具有多个台阶高差的多段型衬底。

9.如权利要求8所述的多段型衬底的制造方法，其特征在于，所述掩膜之一由树脂形成。

10.一种多段型衬底的制造方法，其为通过使用等离子体的干蚀刻对氧化硅衬底或氮化硅衬底进行加工来制造具有多个台阶高差的多段型衬底的方法，其特征在于，在该氧化硅衬底或氮化硅衬底的主面上重叠形成各自由不同种类材料形成的、各自的剥离手段不同的多个掩膜，该多个掩膜之一由通过溅射法或蒸镀法形成的硅膜形成，映射该多个掩膜的各自的形状而依次进行干蚀刻，由此进行台阶高差加工，制造具有多个台阶高差的多段型衬底。

11.如权利要求10所述的多段型衬底的制造方法，其特征在于，所述掩膜之一由树脂形成。