[发明专利]包括碳基存储器元件的存储器单元及其形成方法有效
申请号: | 200980122112.1 | 申请日: | 2009-04-10 |
公开(公告)号: | CN102067312A | 公开(公告)日: | 2011-05-18 |
发明(设计)人: | 罗伊·E·肖伊尔莱因;阿尔珀·伊尔克巴哈;阿普里尔·D·施里克 | 申请(专利权)人: | 桑迪士克3D有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/10 | 分类号: | H01L27/10;H01L27/102;H01L51/00;G11C13/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 黄小临 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 根据本发明的方面,提供了形成存储器单元的方法,该方法包括:在衬底上形成操纵元件;以及形成与所述操纵元件耦接的存储器元件,其中所述存储器元件包括具有不大于十个原子层的厚度的碳基材料。可以通过重复进行以下步骤形成所述存储器元件:形成碳基材料的层,该层具有大约一个单层的厚度;以及使所述碳基材料的层经历热退火。还描述了其他方面。 | ||
搜索关键词: | 包括 存储器 元件 单元 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种形成存储器单元的方法,包括:在衬底上形成操纵元件;以及形成与所述操纵元件耦接的存储器元件,其中所述存储器元件包括具有不大于十个原子层的厚度的碳基材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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