[发明专利]包括碳基存储器元件的存储器单元及其形成方法

权利要求书

1.一种形成存储器单元的方法，包括：

在衬底上形成操纵元件；以及

形成与所述操纵元件耦接的存储器元件，其中所述存储器元件包括具有不大于十个原子层的厚度的碳基材料。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述操纵元件包括p-n或者p-i-n二极管。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述操纵元件包括多晶硅二极管。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述存储器元件包括可逆电阻切换元件。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述碳基材料包括无定形碳。

6.如权利要求1所述的方法，其中形成所述存储器元件包括使用等离子体增强化学气相沉积技术来沉积所述碳基材料。

7.如权利要求6所述的方法，其中在大约300℃和大约600℃之间的处理温度下进行所述等离子体增强化学气相沉积技术。

8.如权利要求7所述的方法，其中在大约300℃和大约450℃之间的处理温度下进行所述等离子体增强化学气相沉积技术。

9.一种使用权利要求1的方法形成的存储器单元。

10.一种形成存储器单元的方法，包括：

在衬底上形成操纵元件；以及

通过重复进行以下步骤形成与所述操纵元件耦接的存储器元件：

形成碳基材料的层，该层具有大约一个单层的厚度；以及

使所述碳基材料的层经历热退火。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述操纵元件包括p-n或者p-i-n二极管。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述操纵元件包括多晶硅二极管。

13.如权利要求10所述的方法，其中所述存储器元件包括可逆电阻切换元件。

14.如权利要求10所述的方法，其中所述碳基材料包括无定形碳。

15.如权利要求10所述的方法，其中形成所述碳基材料的层包括使用等离子体增强化学气相沉积技术来沉积所述碳基材料。

16.如权利要求15所述的方法，其中在大约300℃和大约900℃之间的处理温度下进行所述等离子体增强化学气相沉积技术.

17.如权利要求15所述的方法，其中在大约300℃和大约600℃之间的处理温度下进行所述等离子体增强化学气相沉积技术。

18.如权利要求15所述的方法，其中在大约300℃和大约450℃之间的处理温度下进行所述等离子体增强化学气相沉积技术。

19.如权利要求10所述的方法，其中在大约250℃和大约850℃之间的处理温度下进行所述热退火。

20.如权利要求10所述的方法，其中在大约350℃和大约650℃之间的处理温度下进行所述热退火。

21.如权利要求10所述的方法，其中在大约600℃的处理温度下进行所述热退火。

22.如权利要求10所述的方法，其中使用非氧化的周围环境进行所述热退火。

23.如权利要求10所述的方法，其中一个单层包括大约一个原子层的碳基材料。

24.一种使用权利要求10的方法形成的存储器单元。

25.一组存储器单元，包括：

在衬底上的操纵元件；以及

与所述操纵元件耦接的存储器元件，其中所述存储器元件包括具有不大于十个原子层的厚度的碳基材料。