[发明专利]含镧系元素的前体的制备和含镧系元素的薄膜的沉积无效

专利信息
申请号: 200980120906.4 申请日: 2009-06-05
公开(公告)号: CN102057077A 公开(公告)日: 2011-05-11
发明(设计)人: V·R·帕里姆;C·杜萨拉 申请(专利权)人: 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
主分类号: C23C16/18 分类号: C23C16/18;C23C16/40;C07C257/14;C07F17/00
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 林柏楠;彭飞
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
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摘要: 本文描述了沉积含稀土金属的层的方法及组合物。概括而言,所公开的方法使用诸如化学气相沉积或原子层沉积的沉积方法沉积包含含稀土的化合物的前体化合物。所公开的前体化合物包括具有至少一个脂族基团作为取代基的环戊二烯基配体和脒配体。
搜索关键词: 含镧系 元素 制备 薄膜 沉积
【主权项】:
1.组合物,其包含下述通式的含镧系元素的前体:Ln(R1Cp)m(R2-N-C(R4)=N-R2)n,其中:-Ln为具有约0.75至约0.94的离子半径、3+电荷和6的配位数的镧系金属;-R1选自由H和C1-C5烷基链组成的组;-R2选自由H和C1-C5烷基链组成的组;-R4选自由H和Me组成的组;-n和m为1至2;且-该前体具有低于约105℃的熔点。
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