[发明专利]含镧系元素的前体的制备和含镧系元素的薄膜的沉积无效
| 申请号: | 200980120906.4 | 申请日: | 2009-06-05 |
| 公开(公告)号: | CN102057077A | 公开(公告)日: | 2011-05-11 |
| 发明(设计)人: | V·R·帕里姆;C·杜萨拉 | 申请(专利权)人: | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/18 | 分类号: | C23C16/18;C23C16/40;C07C257/14;C07F17/00 |
| 代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 林柏楠;彭飞 |
| 地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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| 摘要: | 本文描述了沉积含稀土金属的层的方法及组合物。概括而言,所公开的方法使用诸如化学气相沉积或原子层沉积的沉积方法沉积包含含稀土的化合物的前体化合物。所公开的前体化合物包括具有至少一个脂族基团作为取代基的环戊二烯基配体和脒配体。 | ||
| 搜索关键词: | 含镧系 元素 制备 薄膜 沉积 | ||
【主权项】:
1.组合物,其包含下述通式的含镧系元素的前体:Ln(R1Cp)m(R2-N-C(R4)=N-R2)n,其中:-Ln为具有约0.75
至约0.94
的离子半径、3+电荷和6的配位数的镧系金属;-R1选自由H和C1-C5烷基链组成的组;-R2选自由H和C1-C5烷基链组成的组;-R4选自由H和Me组成的组;-n和m为1至2;且-该前体具有低于约105℃的熔点。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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