[发明专利]含镧系元素的前体的制备和含镧系元素的薄膜的沉积

权利要求书

1.组合物，其包含下述通式的含镧系元素的前体：

Ln(R¹Cp)_m(R²-N-C(R⁴)＝N-R²)_n，

其中：

-Ln为具有约0.75至约0.94的离子半径、3+电荷和6的配位数的镧系金属；

-R¹选自由H和C₁-C₅烷基链组成的组；

-R²选自由H和C₁-C₅烷基链组成的组；

-R⁴选自由H和Me组成的组；

-n和m为1至2；且

-该前体具有低于约105℃的熔点。

2.权利要求1的组合物，其中Ln选自由Lu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm和Yb组成的组。

3.权利要求2的组合物，其中Ln选自由Er和Yb组成的组。

4.权利要求1的组合物，其中R¹选自由Me、Et和iPr组成的组。

5.权利要求1的组合物，其中R²选自由iPr和tBu组成的组。

6.在半导体基底上沉积含镧系元素的薄膜的方法，该方法包括：

a)提供基底；

b)提供权利要求1的含镧系元素的前体；及

c)在所述基底上沉积含镧系元素的薄膜。

7.权利要求6的方法，其进一步包括在约150℃至约600℃的温度在所述基底上沉积含镧系元素的薄膜。

8.权利要求6的方法，其进一步包括在约0.5毫托至约20托的压力在所述基底上沉积含镧系元素的薄膜。

9.权利要求6的方法，其中所述含镧系元素的前体在低于约70℃的温度为液体。

10.权利要求9的方法，其中所述含镧系元素的前体在低于约40℃的温度为液体。

11.权利要求6的方法，其中所述含镧系元素的薄膜选自由Ln₂O₃、(LnLn′)O₃、Ln₂O₃-Ln′₂O₃、LnSi_xO_y、LnGe_xO_y、(Al，Ga，Mn)LnO₃、HfLnO_x，和ZrLnO_x组成的组，其中Ln与Ln′不同。

12.权利要求11的方法，其中所述含镧系元素的薄膜选自由HfErO_x、ZrErO_x、HfYbO_x及ZrYbO_x组成的组。

13.权利要求6的方法，其中所述含镧系元素的前体具有选自由Ln(R¹Cp)₂(N^Z-fmd)、Ln(R¹Cp)₂(N^Z-amd)、Ln(R¹Cp)(N^Z-fmd)₂和Ln(R¹Cp)(N^Z-amd)₂组成的组的通式，其中Ln选自由Y、Gd、Dy、Er和Yb组成的组；R¹选自由Me、Et和iPr组成的组；且Z为iPr或tBu。

14.在基底上形成含镧系元素的薄膜的方法，该方法包括下述步骤：提供反应器，该反应器内放置有至少一个基底；将权利要求1的至少一种含镧系元素的前体引入所述反应器中；和使所述含镧系元素的前体与所述基底接触，以使用沉积方法在所述基底的至少一个表面上形成含镧系元素的层。

15.权利要求14的方法，其进一步包括下述步骤：

a)向所述反应器中提供至少一种反应物质，其中所述反应物质为含氧流体；及

b)使所述含镧系元素的前体与所述反应物质反应。