[发明专利]一种电子器件制造方法有效
| 申请号： | 200980120285.X | 申请日： | 2009-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN102047402B | 公开（公告）日： | 2017-11-03 |
| 发明（设计）人： | 克里斯蒂安·曾兹 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;G06K19/077;H01L23/538 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在用于制造电子器件的方法中，将集成电路(1)设置在衬底的两层(2，3)之间，所述集成电路包括至少一个接触面、在所述至少一个接触面(3)上方的至少一个衬底层上形成的孔洞(4)，在所述至少一个衬底层(3)的背离所述集成电路(1)的表面上形成导电结构(5)，并且通过所述孔洞(4)将所述导电结构(5)与所述接触面相连。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造电子器件的方法，所述方法包括以下步骤：‑将集成电路(1)设置在衬底的两层(2，3)其中一层的顶部上，使集成电路(1)位于衬底的两层(2，3)之间，通过层压其间设置有集成电路(1)的衬底的两层(2，3)使集成电路(1)密封在衬底的两层(2，3)之间，所述集成电路(1)的厚度小于衬底的两层(2，3)中每一层的厚度，所述集成电路(1)具有至少一个接触面；‑在所述至少一个接触面上方的至少一个衬底层(3)中形成孔洞(4)；以及‑在所述通过层压其间设置有集成电路(1)的衬底的两层(2，3)使集成电路(1)密封在衬底的两层(2，3)之间的步骤之后，在所述至少一个衬底层(3)的背离所述集成电路(1)的表面上形成导电结构(5)作为天线，并且通过所述孔洞(4)将所述导电结构(5)与所述接触面相连，所述形成导电结构(5)的步骤和连接所述导电结构(5)的步骤在单一的工艺步骤中执行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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