[发明专利]粘结膜有效
| 申请号: | 200980120231.3 | 申请日: | 2009-03-31 |
| 公开(公告)号: | CN102047401A | 公开(公告)日: | 2011-05-04 |
| 发明(设计)人: | 须贺保博 | 申请(专利权)人: | 索尼化学&信息部件株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;C09J9/02;C09J11/04 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 吴娟;高旭轶 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 在使用含有非导电性填料的粘结膜向布线基板上倒装芯片封装半导体芯片时,即使在不能从两者之间完全排除填料和粘结剂组合物的情况下,也能确保确实的导通的粘结膜包含含有环氧化合物、固化剂和填料的粘结剂组合物。相对于环氧化合物、固化剂和填料的总量,填料的含量为10~70质量%。填料含有平均粒径为0.5~1.0μm的第1非导电性无机颗粒和对平均粒径为0.5~1.0μm的第2非导电性无机颗粒进行无电镀处理而使平均粒径不超过1.5μm而获得的导电性颗粒,填料的10~60质量%为该导电性颗粒。 | ||
| 搜索关键词: | 粘结 | ||
【主权项】:
粘结膜,其为包含含有环氧化合物、固化剂和填料的粘结剂组合物,用于在布线基板上倒装芯片封装具有凸起的半导体芯片的粘结膜,其特征在于,相对于环氧化物、固化剂和填料的总量,填料的含量为10~70质量%,该填料含有平均粒径为0.5~1.0μm的第1非导电性无机颗粒和对平均粒径为0.5~1.0μm的第2非导电性无机颗粒进行无电镀处理以使平均粒径不超过1.5μm而获得的导电性颗粒,填料的10~60质量%为该导电性颗粒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





