[发明专利]具有氮化镓基薄层半导体器件的LED元件有效
| 申请号： | 200980120021.4 | 申请日： | 2009-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN102047451A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 斯特凡·塔施 | 申请（专利权）人： | 莱登照明詹纳斯多夫股份公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;王伶 |
| 地址： | 奥地利詹*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及一种LED模块，其具有包括有源氮化镓层(2)的LED芯片(1)和其上安置有该LED芯片(1)的硅平板(3)，其中，硅平板(3)在背对LED芯片(1)的一侧(3b)具有两个电极(4a，4b)，所述两个电极(4a，4b)与该LED芯片(1)电连接，并且该LED芯片(1)的氮化镓层(2)的厚度介于2至10μm之间，优选为1至5μm。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 氮化 薄层 半导体器件 led 元件 | ||
【主权项】：
一种LED模块，其具有硅平板(3)和包括上下紧邻的外延的多层氮化镓层(2)的LED芯片(1)，该LED芯片(1)安置在该硅平板(3)上，其中所述多层氮化镓层具有至少一个n型掺杂层、一个有源层和一个p型掺杂层，所述硅平板(3)在背对所述LED芯片(1)的一侧(3b)具有两个电极(4a，4b)，所述两个电极(4a，4b)与所述LED芯片(1)电连接，并且所述LED芯片(1)的所述外延的多层氮化镓层(2)的总厚度介于1至10μm之间，优选为2至5μm，其中所述硅平板(3)具有孔穴(8)，所述LED芯片(1)安置在所述孔穴(8)中。
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