[发明专利]具有氮化镓基薄层半导体器件的LED元件

权利要求书

1.一种LED模块，其具有硅平板(3)和包括上下紧邻的外延的多层氮化镓层(2)的LED芯片(1)，该LED芯片(1)安置在该硅平板(3)上，其中所述多层氮化镓层具有至少一个n型掺杂层、一个有源层和一个p型掺杂层，所述硅平板(3)在背对所述LED芯片(1)的一侧(3b)具有两个电极(4a，4b)，所述两个电极(4a，4b)与所述LED芯片(1)电连接，并且所述LED芯片(1)的所述外延的多层氮化镓层(2)的总厚度介于1至10μm之间，优选为2至5μm，其中所述硅平板(3)具有孔穴(8)，所述LED芯片(1)安置在所述孔穴(8)中。

2.根据权利要求1所述的LED模块，其中，所述硅平板(3)具有通孔金属化结构(6a，6b)，该通孔金属化结构(6a，6b)使所述硅平板(3)的电极(4a，4b)与所述LED芯片(1)电连接。

3.根据权利要求1或2所述的LED模块，其中，所述外延的氮化镓层没有中间层地直接设置在所述硅平板(3)的顶面(3a)上。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的LED模块，其中，所述LED芯片(1)借助焊球或扁平触点(7a，7b)与所术硅平板(3)的通孔金属化结构(4a，4b)电连接。

5.根据在前权利要求任一项所述的LED模块，其中，所述硅平板(3)的孔穴(8)中填充有颜色转换层(9)和/或含有散射颗粒的层。

6.根据在前权利要求任一项所述的LED模块，其中，所述硅平板(3)的在所述LED芯片(1)下面的厚度(t2)小于300μm。

7.根据权利要求1或2所述的LED模块，其中，在所述氮化镓层(2)和所述硅平板(3)之间有附加的硅衬底层(10)。

8.根据权利要求7所述的LED模块，其中，所述氮化镓层(2)和所述硅衬底层(10)就宽度(b₁)和长度(l₁)而言有相同的尺寸。

9.根据在前权利要求任一项所述的LED模块，其中，所述硅平板的长度(l₁)和宽度(b₁)介于2.5至6.5mm之间。

10.根据在前权利要求任一项所述的LED模块，其中，所述LED芯片(1)以面朝上或面朝下的姿势安置在所述硅平板(3)上。