[发明专利]渣壳反应器无效
| 申请号： | 200980118728.1 | 申请日： | 2009-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN102083751A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 弗朗茨·雨果 | 申请（专利权）人： | 瑞科硅公司 |
| 主分类号： | C01B33/027 | 分类号： | C01B33/027;C01B33/021;B01J19/08;H05H1/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈海涛;樊卫民 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开一种制造硅或活性金属的方法，所述方法包括：将含硅进料或含活性金属的进料引入至反应室内，其中所述反应室包括反应室壁，所述反应室壁具有(i)面对反应空间的内表面和(ii)相反的外表面；在所述反应空间内产生足以产生液体硅产物或液体活性金属产物的第一热能；在所述反应室壁外部产生第二热能，使得来自所述第二热能的热流开始冲击所述反应室壁的外表面；以及通过控制所述第一热能源和所述第二热能源而将所述内表面的壁温设置在所述硅或所述活性金属的熔点温度以上或以下的温度范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 反应器 | ||
【主权项】：
一种制造硅或活性金属的方法，所述方法包括：将含硅进料或含活性金属的进料引入至反应室内，其中所述反应室包括反应室壁，所述反应室壁具有(i)面对反应空间的内表面和(ii)相反的外表面；在所述反应空间内产生足以产生液体硅产物或液体活性金属产物的第一热能；在所述反应室壁外部产生第二热能，使得来自所述第二热能的热流开始冲击所述反应室壁的外表面；以及通过控制所述第一热能源和所述第二热能源将所述内表面的壁温设置在所述硅或所述活性金属的熔点温度以上或以下的温度范围内。
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