[发明专利]渣壳反应器无效
| 申请号： | 200980118728.1 | 申请日： | 2009-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN102083751A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 弗朗茨·雨果 | 申请（专利权）人： | 瑞科硅公司 |
| 主分类号： | C01B33/027 | 分类号： | C01B33/027;C01B33/021;B01J19/08;H05H1/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈海涛;樊卫民 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 反应器 | ||
1.一种制造硅或活性金属的方法，所述方法包括：
将含硅进料或含活性金属的进料引入至反应室内，其中所述反应室包括反应室壁，所述反应室壁具有(i)面对反应空间的内表面和(ii)相反的外表面；
在所述反应空间内产生足以产生液体硅产物或液体活性金属产物的第一热能；
在所述反应室壁外部产生第二热能，使得来自所述第二热能的热流开始冲击所述反应室壁的外表面；以及
通过控制所述第一热能源和所述第二热能源将所述内表面的壁温设置在所述硅或所述活性金属的熔点温度以上或以下的温度范围内。
2.如权利要求1所述的方法，其中通过控制所述第一热能源和所述第二热能源制造从所述反应空间到所述反应室壁的1～2000kW/m2的可调节能流。
3.如权利要求2所述的方法，其中所述可调节能流的范围为50kW/m2～500kW/m2。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述第一热能为等离子体能，且所述第二热能为感应热或电阻热。
5.如权利要求1所述的方法，还包括在所述反应室壁的内表面上形成硅或所述活性金属的固体渣壳层。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述第一热能在硅熔点以上的温度下、在所述反应器空间内产生热，且所述第一能源和所述第二能源结合以将所述内表面的壁温保持在硅熔点以下的温度下。
7.如权利要求1所述的方法，其中将所述反应器壁垂直排列，使得所述液体硅或液体金属能够沿所述室壁向下流动。
8.如权利要求5所述的方法，其中所述固体渣壳层的厚度小于200mm。
9.如权利要求1所述的方法，其中对来自所述第二热能的热进行控制，以将所述内表面的壁温保持在所述含硅进料或所述活性金属进料的熔点温度以下的温度下。
10.如权利要求9所述的方法，其中将所述内表面的壁温保持在比硅或所述活性金属的熔点温度低1～300℃的温度下。
11.如权利要求10所述的方法，其中将所述内表面的壁温保持在比硅或所述活性金属的熔点温度低1～200℃的温度下。
12.如权利要求1所述的方法，其中将含硅进料引入至所述反应室内，且所述第二热能将所述内表面的壁温保持在1115℃～1414℃的温度下。
13.一种制造硅的方法，所述方法包括：
将硅粉末引入至反应室中，其中所述反应室包括反应室壁，所述反应室壁具有(i)面对反应空间的内表面和(ii)相反的外表面；
在所述反应器空间内产生等离子体；
通过所述等离子体使所述硅粉末经受高于所述硅粉末熔点的温度而热熔化所述硅粉末，其中所述熔化过程制造液体硅；
在熔化所述硅粉末的同时，将所述反应室壁的内表面保持在所述硅粉末的熔点以下的平衡温度下；以及
在将所述液体硅排出所述反应室之后，使其凝固。
14.如权利要求13所述的方法，还包括对所述反应室壁的外表面进行可控加热。
15.如权利要求13所述的方法，还包括在所述反应室壁的内表面上形成固体硅渣壳层。
16.如权利要求5所述的方法，其中所述第一热能在硅熔点以上的温度下、在所述反应器空间内产生热，且所述第一能源和所述第二能源结合以将所述内表面的壁温保持在硅熔点以下的温度下。
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